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SW20N50	N-channel Power MOSFET SAMWIN SW20N50 N-channel Power MOSFET Features - High ruggedness MOSFET - RDS(ON) (Max 0.27Ω)@VGS=10V - Gate Charge (Max 80nC) - Improved dv, dt Capability - 100% Avalanche Tested TO-3P BVDSS : 500V ID : 20A* RDS(ON) : 0.27ohm 1 2 2 3 1. Gate 2. Drain 3. Source General Description This power MOSFET is produced with advanced VDMOS technology of SAMWIN. This technology enable power MOSFET		mosfet

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N-channel Power MOSFET

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SW20N60	N-channel Power MOSFET [ SAMWIN ]
SW20N50U	MOSFET, Transistor [ SEMIPOWER ]
SW20N60U	MOSFET, Transistor [ SEMIPOWER ]
SW20N65K	MOSFET, Transistor [ SEMIPOWER ]

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SW20N50	N-channel Power MOSFET SAMWIN SW20N50 N-channel Power MOSFET Features - High ruggedness MOSFET - RDS(ON) (Max 0.27Ω)@VGS=10V - Gate Charge (Max 80nC) - Improved dv, dt Capability - 100% Avalanche Tested TO-3P BVDSS :
SW20N50D	N-channel MOSFET SW20N50D Features Low gate charge 100% avalanche tested Improved dv, dt capability RoHS compliant JEDEC Qualification N-channel MOSFET BVDSS 500V ID 20A RDS(on) < 0.3W Device SW20N50D Package T
SW20N50U	MOSFET, Transistor

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2SC1815	Transistor NPN planar epitaxial de silicio para conmutación y amplificadores de frecuencia. El transistor se divide en cuatro grupos: O, Y, G y L, dependiendo de su ganancia de CC. Se recomienda el transistor PNP ST 2SA1015 como tipo adicional.	Semtech	PDF

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