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P6015CDG Datasheet PDF |
PDF P6015CDG MOSFET ( Hoja de datos ) |
| P/N | Descripción | Fabr. | |
| P6015CDG | N-Channel Enhancement Mode MOSFET
P6015CDG
N-Channel Enhancement Mode MOSFET
PRODUCT SUMMARY
V(BR)DSS
RDS(ON)
150V
60mΩ @VGS = 10V
ID 20A
TO-252
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted)
PARAMETERS, TEST CONDITIONS
SYMBOL
LIMITS
Gate-Source Voltage
VGS ±12
Continuous Drain Current Pulsed Drain Current1
TC = 25 °C TC = 100 °C
ID IDM
20 15 60
Avalanche Current
IAS 20
Avalanche Energy Repet
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Electronic components |
| P/N | Descripción | Fabr. | |
| P6015CSG | N-Channel Enhancement Mode MOSFET P6015CSG
N-Channel Enhancement Mode MOSFET
PRODUCT SUMMARY
V(BR)DSS
RDS(ON)
150V
60mΩ @VGS = 10V
ID 21A
TO-263
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted)
PARAMETERS, TEST | | |
Componentes electrónicos recomendados |
| P/N | Descripción | Fabr. | |
| P60B6SN | Power MOSFET, Transistor P60B6SN
000000
Typical Output Characteristics
Transfer Characteristics
Static Drain-Source On-state Resistance vs Drain Current
Static Drain-Source On-state Resistance vs Case Temperature Gate Thr |  | |
| P60B6EN | Power MOSFET, Transistor Nch
P60B6EN
PowerMOSFET
-外 OUTLINE Package：FB
Unit：mm
60V60A
特長
煙面 タイプ 煙低オン抵抗 煙１０V 動 煙低容量
Feature
煙SMD 煙LowRON 煙10VGateDrive 煙LowCapacitanc | | |
| P60B4EL | Power MOSFET, Transistor | | |
| P60B6EL | Power MOSFET, Transistor | | |
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nuevas actualizaciones
| P/N | Descripción | Fabr. | |
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