NX8564LE Datasheet PDF

NEC's EA MODULATOR INTEGRATED InGaAsP MQW DFB LASER DIODE MODULE FOR 2.5 Gb, s ULTRALONG-REACH 360, 600, 240 km DWDM APPLICATIONS FEATURES INTEGRATED ELECTROABSORPTION MODULATOR VERY LOW DISPERSION PENALTY: Over 360 km (6480 ps, nm), NX8564LE-BC, CC Over 600 km (10800 ps, nm), NX8565LE-BC, CC Over 240 km (4320 ps, nm), NX8566LE-BC, CC LOW MODULATION VOLTAGE AVAILABLE FOR DWDM WAVELENGTH BASE

Este es un fotoacoplador (optoacoplador) diseñado para proporcionar aislamiento eléctrico entre los circuitos de entrada y salida. Cuando la corriente fluye a través del LED, este emite luz infrarroja que activa el fototransistor.

Estos son amplificadores operacionales de propósito general.
Está diseñado para una amplia gama de aplicaciones analógicas.

Este es un BJT NPN de propósito general capaz de manejar corriente y voltaje moderados. Es ideal para conmutación de cargas pequeñas y amplificación de baja potencia.
NPN Transistor for switching and AF amplifier applications.

Vceo 40V, Ic 200mA, TO-92 Type, NPN Transistor, Este dispositivo está diseñado como amplificador e interruptor de propósito general. Su rango dinámico útil se extiende hasta 100 mA como interruptor y hasta 100 MHz como amplificador.

DATA SHEET LASER DIODE NX8517XC Series 1 470 TO 1 610 nm FOR CWDM 2.5 Gb, s InGaAsP MQW-DFB LASER DIODE TOSA DESCRIPTION The NX8517XC is a 1 470 to 1 610 nm Multiple Quantum Well (MQW) structured Dist

PRELIMINARY DATA SHEET NEC's InGaAsP NX8510UD MQW-DFB TOSA FOR 2.5 Gb, s CWDM APPLICATIONS Series FEATURES INTERNAL OPTICAL ISOLATOR PEAK EMISSION WAVELENGTH λp = 1 470 to 1 610 nm (Based on IT