NTMFS4982NF Datasheet PDF

NTMFS4982NF Power MOSFET 30 V, 207 A, Single N Channel, SO 8 FL Features Integrated Schottky Diode Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low Capacitance to Minimize Driver Losses Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses These Devices are Pb Free and are RoHS Compliant Applications Server, Netcom, POL Synchronous Rectification for DC DC Converters Low Side Switching High Pe

Este es un fotoacoplador (optoacoplador) diseñado para proporcionar aislamiento eléctrico entre los circuitos de entrada y salida. Cuando la corriente fluye a través del LED, este emite luz infrarroja que activa el fototransistor.

Estos son amplificadores operacionales de propósito general.
Está diseñado para una amplia gama de aplicaciones analógicas.

Este es un BJT NPN de propósito general capaz de manejar corriente y voltaje moderados. Es ideal para conmutación de cargas pequeñas y amplificación de baja potencia.
NPN Transistor for switching and AF amplifier applications.

Vceo 40V, Ic 200mA, TO-92 Type, NPN Transistor, Este dispositivo está diseñado como amplificador e interruptor de propósito general. Su rango dinámico útil se extiende hasta 100 mA como interruptor y hasta 100 MHz como amplificador.

Features • Ultra Low RDS(on) • Higher Efficiency Extending Battery Life • Logic Level Gate Drive • Miniature Dual SOIC−8 Surface Mount Package • Diode Exhibits High Speed, Soft Recove

Features: 1. TrenchFET Power MOSFET 2. 100 % Rg Tested 3. 100 % UIS Tested 4. Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC Applications: 1. Notebook System Power 2. Low Current DC/DC