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NE3002-VA10A Datasheet PDF |
PDF NE3002-VA10A ( Hoja de datos ) |
| P/N | Descripción | Fabr. | |
| NE3002-VA10A | Near edge thermal printhead (300 dots / inch)
Printheads
Near edge thermal printhead (300 dots , inch)
NE3002-VA10A
The NE3002-VA10A is a near edge thin-film thermal printhead, where the printing medium passes straight through at printing speeds up to 8 inch , second. It is suited for high-speed label printers. FApplications Bar code printers Card printers Ticket printers General purpose compact printers FFeatures 1) Inclined toward the pr
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Electronic components |
| P/N | Descripción | Fabr. | |
| PC817 | Optoacoplador de alta densidad Este es un fotoacoplador (optoacoplador) diseñado para proporcionar aislamiento eléctrico entre los circuitos de entrada y salida. Cuando la corriente fluye a través del LED, este emite luz infrarroja que activa el fototransistor. | ![]() Sharp | ![]() |
| LM741 | amplificador operativo Estos son amplificadores operacionales de propósito general. Está diseñado para una amplia gama de aplicaciones analógicas. | Fairchild Semiconductor | ![]() |
| 2N2222 | Transistor de planificador de silicona NPN Este es un BJT NPN de propósito general capaz de manejar corriente y voltaje moderados. Es ideal para conmutación de cargas pequeñas y amplificación de baja potencia. NPN Transistor for switching and AF amplifier applications. | ![]() SEMTECH | ![]() |
| 2N3904 | transistor de conmutación NPN Vceo 40V, Ic 200mA, TO-92 Type, NPN Transistor, Este dispositivo está diseñado como amplificador e interruptor de propósito general. Su rango dinámico útil se extiende hasta 100 mA como interruptor y hasta 100 MHz como amplificador. | NXP | ![]() |
Componentes electrónicos recomendados |
| P/N | Descripción | Fabr. | |
| NE3505M04 | HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISITOR DATA SHEET HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISITOR
NE3505M04
L to C BAND SUPER LOW NOISE AND HIGH-GAIN AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET
FEATURES
- Super Low Noise Figure & Associated Gain : NF=0.4dB TYP. | ![]() | |
| NE33200 | SUPER LOW NOISE HJ FET SUPER LOW NOISE HJ FET
NE33200
FEATURES
VERY LOW NOISE FIGURE: 0.75 dB typical at 12 GHz
Optimum Noise Figure, NFOPT (dB)
4 3.5
NOISE FIGURE & ASSOCIATED GAIN vs. FREQUENCY VDS = 2 V, IDS = 10 mA
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| NE3521M04 | N-Channel GaAs HJ-FET | ![]() | |
| NE3520S03 | N-Channel GaAs HJ-FET | ![]() |
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| P/N | Descripción | Fabr. | |
| 2SC1815 | Transistor NPN planar epitaxial de silicio para conmutación y amplificadores de frecuencia. |
![]() Semtech |
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