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NE3002-VA10A Datasheet PDF



PDF NE3002-VA10A ( Hoja de datos )

P/N Descripción Fabr. PDF
NE3002-VA10A Near edge thermal printhead (300 dots / inch)

Printheads Near edge thermal printhead (300 dots , inch) NE3002-VA10A The NE3002-VA10A is a near edge thin-film thermal printhead, where the printing medium passes straight through at printing speeds up to 8 inch , second. It is suited for high-speed label printers. FApplications Bar code printers Card printers Ticket printers General purpose compact printers FFeatures 1) Inclined toward the pr
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Near edge thermal printhead (300 dots / inch)

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Electronic components

P/N Descripción Fabr. PDF
PC817Optoacoplador de alta densidad

Este es un fotoacoplador (optoacoplador) diseñado para proporcionar aislamiento eléctrico entre los circuitos de entrada y salida. Cuando la corriente fluye a través del LED, este emite luz infrarroja que activa el fototransistor.

Sharp
Sharp
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LM741amplificador operativo

Estos son amplificadores operacionales de propósito general.
Está diseñado para una amplia gama de aplicaciones analógicas.

Fairchild
Fairchild Semiconductor
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2N2222Transistor de planificador de silicona NPN

Este es un BJT NPN de propósito general capaz de manejar corriente y voltaje moderados. Es ideal para conmutación de cargas pequeñas y amplificación de baja potencia.
NPN Transistor for switching and AF amplifier applications.

SEMTECH
SEMTECH
datasheet 2N2222 pdf
2N3904transistor de conmutación NPN

Vceo 40V, Ic 200mA, TO-92 Type, NPN Transistor, Este dispositivo está diseñado como amplificador e interruptor de propósito general. Su rango dinámico útil se extiende hasta 100 mA como interruptor y hasta 100 MHz como amplificador.

NXP
NXP
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Componentes electrónicos recomendados

P/NDescripciónFabr.PDF
NE3505M04HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISITOR

DATA SHEET HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISITOR NE3505M04 L to C BAND SUPER LOW NOISE AND HIGH-GAIN AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET FEATURES - Super Low Noise Figure & Associated Gain : NF=0.4dB TYP.
California Eastern Labsdatasheet NE3505M04 pdf
NE33200SUPER LOW NOISE HJ FET

SUPER LOW NOISE HJ FET NE33200 FEATURES VERY LOW NOISE FIGURE: 0.75 dB typical at 12 GHz Optimum Noise Figure, NFOPT (dB) 4 3.5 NOISE FIGURE & ASSOCIATED GAIN vs. FREQUENCY VDS = 2 V, IDS = 10 mA
California Easterndatasheet NE33200 pdf
NE3521M04N-Channel GaAs HJ-FET

Renesasdatasheet NE3521M04 pdf
NE3520S03N-Channel GaAs HJ-FET

Renesasdatasheet NE3520S03 pdf


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P/N Descripción Fabr. PDF
2SC1815

Transistor NPN planar epitaxial de silicio para conmutación y amplificadores de frecuencia.
El transistor se divide en cuatro grupos: O, Y, G y L, dependiendo de su ganancia de CC. Se recomienda el transistor PNP ST 2SA1015 como tipo adicional.

SEMTECH
Semtech
datasheet 2SC1815 pdf


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