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MMDF2C01HD Datasheet PDF |
PDF MMDF2C01HD ( Hoja de datos ) |
| P/N | Descripción | Fabr. | |
| MMDF2C01HD | COMPLEMENTARY DUAL TMOS POWER FET 2.0 AMPERES 12 VOLTS
MOTOROLA
Designer's
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
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™ Data Sheet
Medium Power Surface Mount Products
MiniMOS™ devices are an advanced series of power MOSFETs which utilize Motorola’s High Cell Density HDTMOS process. These miniature surface mount MOSFETs feature ultra low RDS(on) and true logic level performance. They are capable of withstanding high en
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Electronic components |
| P/N | Descripción | Fabr. | |
| PC817 | Optoacoplador de alta densidad Este es un fotoacoplador (optoacoplador) diseñado para proporcionar aislamiento eléctrico entre los circuitos de entrada y salida. Cuando la corriente fluye a través del LED, este emite luz infrarroja que activa el fototransistor. | ![]() Sharp | ![]() |
| LM741 | amplificador operativo Estos son amplificadores operacionales de propósito general. Está diseñado para una amplia gama de aplicaciones analógicas. | Fairchild Semiconductor | ![]() |
| 2N2222 | Transistor de planificador de silicona NPN Este es un BJT NPN de propósito general capaz de manejar corriente y voltaje moderados. Es ideal para conmutación de cargas pequeñas y amplificación de baja potencia. NPN Transistor for switching and AF amplifier applications. | ![]() SEMTECH | ![]() |
| 2N3904 | transistor de conmutación NPN Vceo 40V, Ic 200mA, TO-92 Type, NPN Transistor, Este dispositivo está diseñado como amplificador e interruptor de propósito general. Su rango dinámico útil se extiende hasta 100 mA como interruptor y hasta 100 MHz como amplificador. | NXP | ![]() |
Componentes electrónicos recomendados |
| P/N | Descripción | Fabr. | |
| MMDT3906V | PNP Small Signal Transistor (-40V / -200mA ) • Epitaxial Planar Die Construction
• Ideal for Low Power Amplification and Switching
• Ultra-Small Surface Mount Package | ![]() | |
| MMDF2P02HDR2G | P-Channel Power MOSFET These miniature surface mount MOSFETs feature ultra low RDS(on)
and true logic level performance. They are capable of withstanding
high energy in the avalanche and commutation modes and the
drain� | ![]() | |
| MMD80R900PC | N-Channel MOSFET | ![]() | |
| MMD80R1K2P | N-Channel MOSFET | ![]() |
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| P/N | Descripción | Fabr. | |
| 2SC1815 | Transistor NPN planar epitaxial de silicio para conmutación y amplificadores de frecuencia. |
![]() Semtech |
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