![]() |
|
MDD1752 Buy Now and Stock |
PDF MDD1752 Datasheet ( Hoja de datos ) |
N.º | Número de pieza | Descripción | Fabricantes | Catagory |
1 | MDD1752 | N-Channel Trench MOSFET
MDD1752 N-Channel Trench MOSFET 40V, 50A, 8.0mΩ
MDD1752
N-Channel Trench MOSFET 40V, 50A, 8.0mΩ
General Description
The MDD1752 uses advanced MagnaChip’s trench MOSFET Technology to provide high performance in onstate resistance, switching performance and reliability Low RDS(ON), low gate charge can be offering superior benefit in the application.
Features
VDS = 40V ID = 50A @VGS = 10V RDS
| ![]() MagnaChip Semiconductor | mosfet |
![]() |
Electronic components |
N.º | Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
1 | MDD172-08N1 | High Power Diode Modules [ IXYS Corporation ] | ![]() | ![]() |
2 | MDD172-12N1 | High Power Diode Modules [ IXYS Corporation ] | ![]() | ![]() |
3 | MDD172-14N1 | High Power Diode Modules [ IXYS Corporation ] | ![]() | ![]() |
4 | MDD172-16N1 | High Power Diode Modules [ IXYS Corporation ] | ![]() | ![]() |
Рекомендуемые электронные компоненты |
N.º | Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
1 | MDD1752 | N-Channel Trench MOSFET MDD1752 N-Channel Trench MOSFET 40V, 50A, 8.0mΩ
MDD1752
N-Channel Trench MOSFET 40V, 50A, 8.0mΩ
General Description
The MDD1752 uses advanced MagnaChip’s trench MOSFET Technology to provide hig | ![]() MagnaChip Semiconductor | ![]() |
2 | MDD1754 | N-channel Trench MOSFET MDD1754 N-Channel Trench MOSFET
MDD1754
N-Channel Trench MOSFET, 40V, 20.5A, 27mΩ
General Description
The MDD1754 uses advanced MagnaChip’s Trench MOSFET Technology to provided high performance | ![]() MagnaChip | ![]() |
Esta es una página para buscar información de compra e inventario para MDD1752. Para productos compatibles y de reemplazo con MDD1752, descargue la hoja de datos para obtener más detalles. |
Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
2SC1815 | Кремниевый эпитаксиальный планарный транзистор NPN для коммутации и усилителей частоты. Транзистор подразделяется на четыре группы: O, Y, G и L, в зависимости от его коэффициента усиления по постоянному току. В качестве дополнительного типа рекомендуется PNP-транзистор ST 2SA1015. |
![]() Semtech |
DataSheet.es | 2020 | Privacy Policy | Contacto | Sitemap |