![]() |
|
KTD2066 Buy Now and Stock |
PDF KTD2066 Datasheet ( Hoja de datos ) |
N.º | Número de pieza | Descripción | Fabricantes | Catagory |
1 | KTD2066 | EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR
SEMICONDUCTOR
TECHNICAL DATA
KTD2066
EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR
HIGH CURRENT SWITCHING APPLICATION. LAMP SOLENOID DRIVER APPLICATION.
FEATURES High DC Current Gain : hFE=500 1500(IC=1A). Low Collector Saturation Voltage : VCE(sat)=0.35V(Max.) (IC=3A).
MAXIMUM RATING (Ta=25 )
CHARACTERISTIC
SYMBOL
Collector-Base Voltage Collector-Emitter Voltage
VCBO VCEO
Emitter-Base Voltage
VEBO
Co
| ![]() KEC | transistor |
![]() |
Electronic components |
N.º | Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
1 | KTD2066 | EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR [ KEC ] | ![]() | ![]() |
2 | KTD2060 | TRIPLE DIFFUSED NPN TRANSISTOR [ KEC ] | ![]() | ![]() |
3 | KTD2061 | EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR [ KEC ] | ![]() | ![]() |
4 | KTD2058 | TRIPLE DIFFUSED NPN TRANSISTOR [ KEC ] | ![]() | ![]() |
Рекомендуемые электронные компоненты |
N.º | Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
1 | KTD2060 | Silicon NPN Power Transistors INCHANGE Semiconductor
isc Silicon NPN Power Transistor
isc Product Specification
KTD2060
DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage-
: V(BR)CEO= 80V(Min) ·Collector Power Dissipation-
: PC= | ![]() Inchange Semiconductor | ![]() |
2 | KTD2060 | TRIPLE DIFFUSED NPN TRANSISTOR SEMICONDUCTOR
TECHNICAL DATA
KTD2060
TRIPLE DIFFUSED NPN TRANSISTOR
GENERAL PURPOSE APPLICATION.
FEATURES Good Linearity of hFE. Complementary to KTB1368.
MAXIMUM RATING (Ta=25 ) CHARACTERISTIC
Col | ![]() KEC | ![]() |
3 | KTD2061 | Silicon NPN Power Transistors | ![]() Inchange Semiconductor | ![]() |
4 | KTD2061 | EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR | ![]() KEC | ![]() |
Esta es una página para buscar información de compra e inventario para KTD2066. Para productos compatibles y de reemplazo con KTD2066, descargue la hoja de datos para obtener más detalles. |
Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
2SC1815 | Кремниевый эпитаксиальный планарный транзистор NPN для коммутации и усилителей частоты. Транзистор подразделяется на четыре группы: O, Y, G и L, в зависимости от его коэффициента усиления по постоянному току. В качестве дополнительного типа рекомендуется PNP-транзистор ST 2SA1015. |
![]() Semtech |
DataSheet.es | 2020 | Privacy Policy | Contacto | Sitemap |