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PDF KDV142E Datasheet ( Hoja de datos )

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KDV142E	SILICON EPITAXIAL PIN TYPE DIODE SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA For antenna switches in mobile applications. FEATURES Low Capacitance : CT=0.35[pF] (Max.) Low Series resistance : rS=1.5[ Small Package : ESC. ] (Max.). CATHODE MARK C 1 KDV142E SILICON EPITAXIAL PIN TYPE DIODE E 2 D F MAXIMUM RATING (Ta=25 CHARACTERISTIC Reverse Voltage Forward Current Junction Temperature Storage Temperature Range ) SYMBOL VR IF Tj Tstg RATING		diode

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SILICON EPITAXIAL PIN TYPE DIODE

Electronic components

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KDV1470	VARIABLE CAPACITANCE DIODE SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE [ KEC(Korea Electronics) ]
KDV1471	VARIABLE CAPACITANCE DIODE SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE [ KEC(Korea Electronics) ]
KDV1472	VARIABLE CAPACITANCE DIODE SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE(FM RADIO BAND TUNING) [ KEC(Korea Electronics) ]
KDV149	VARIABLE CAPACITANCE DIODE SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE(AM RADIO BAND TUNING) [ KEC(Korea Electronics) ]

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KDV142EL	Silicon Epitaxial Pin Type Diode SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA For antenna switches in mobile applications. FEATURES Low Capacitance : CT=0.35[pF] (Max.) Low Series resistance : rS=1.3[ Small Package . 2 1 KDV142EL SILICON EPITAXIAL
KDV142V	SILICON EPITAXIAL PIN TYPE DIODE

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2SC1815	Transistor NPN planar epitaxial de silicio para conmutación y amplificadores de frecuencia. El transistor se divide en cuatro grupos: O, Y, G y L, dependiendo de su ganancia de CC. Se recomienda el transistor PNP ST 2SA1015 como tipo adicional.	Semtech	PDF

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