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PDF KDV141E Datasheet ( Hoja de datos )

P/N Descripción Fabr. Tag
KDV141E ESC PACKAGE

SEMICONDUCTOR MARKING SPECIFICATION 1. Marking method Laser Marking KDV141E ESC PACKAGE 2. Marking EE No. Item Device Mark Marking EE Description KDV141E 2003. 10. 24 Revision No : 0 1, 1
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Electronic components

P/N Descripción Fabr. PDF
KDV1470VARIABLE CAPACITANCE DIODE SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE

[ KEC(Korea Electronics) ]
KEC(Korea Electronics)
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KDV1471VARIABLE CAPACITANCE DIODE SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE

[ KEC(Korea Electronics) ]
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KDV1472VARIABLE CAPACITANCE DIODE SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE(FM RADIO BAND TUNING)

[ KEC(Korea Electronics) ]
KEC(Korea Electronics)
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KDV149VARIABLE CAPACITANCE DIODE SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE(AM RADIO BAND TUNING)

[ KEC(Korea Electronics) ]
KEC(Korea Electronics)
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Componentes electrónicos recomendados

P/NDescripciónFabr.PDF
KDV141EESC PACKAGE

SEMICONDUCTOR MARKING SPECIFICATION 1. Marking method Laser Marking KDV141E ESC PACKAGE 2. Marking EE No. Item Device Mark Marking EE Description KDV141E 2003. 10. 24 Revision No : 0 1, 1
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P/N Descripción Fabr. PDF
2SC1815

Transistor NPN planar epitaxial de silicio para conmutación y amplificadores de frecuencia.
El transistor se divide en cuatro grupos: O, Y, G y L, dependiendo de su ganancia de CC. Se recomienda el transistor PNP ST 2SA1015 como tipo adicional.

 SEMTECH
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