IRFP3006PBF Datasheet PDF

IRFP3006PbF 60V 2.1m 2.5m 270A 195A G VDSS RDS(on) typ. max. ID (Silicon Limited) ID (Package Limited) D D G S S TO-247AC Applications High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS Uninterruptible Power Supply High Speed Power Switching Hard Switched and High Frequency Circuits Benefits Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV, dt Ruggedness Fully Characterized Capacitance

Este es un fotoacoplador (optoacoplador) diseñado para proporcionar aislamiento eléctrico entre los circuitos de entrada y salida. Cuando la corriente fluye a través del LED, este emite luz infrarroja que activa el fototransistor.

Estos son amplificadores operacionales de propósito general.
Está diseñado para una amplia gama de aplicaciones analógicas.

Este es un BJT NPN de propósito general capaz de manejar corriente y voltaje moderados. Es ideal para conmutación de cargas pequeñas y amplificación de baja potencia.
NPN Transistor for switching and AF amplifier applications.

Vceo 40V, Ic 200mA, TO-92 Type, NPN Transistor, Este dispositivo está diseñado como amplificador e interruptor de propósito general. Su rango dinámico útil se extiende hasta 100 mA como interruptor y hasta 100 MHz como amplificador.

• Advanced process technology • Key parameters optimized for PDP Sustain & Energy Recovery applications • Low EPULSE rating to reduce the power

• Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Ruggedness • Fully Characterized Capacitance and Avalanche SOA • Enhanced body diode dV/dt and dI/dt Capability