IRFP064VPBF Datasheet PDF

PD - 95501 IRFP064VPbF l l l l l l l l Advanced Process Technology Ultra Low On-Resistance Dynamic dv, dt Rating 175°C Operating Temperature Fast Switching Fully Avalanche Rated Optimized for SMPS Applications Lead-Free HEXFET® Power MOSFET D VDSS = 60V RDS(on) = 5.5mΩ G S ID = 130A Description Advanced HEXFET® Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing tec

Este es un fotoacoplador (optoacoplador) diseñado para proporcionar aislamiento eléctrico entre los circuitos de entrada y salida. Cuando la corriente fluye a través del LED, este emite luz infrarroja que activa el fototransistor.

Estos son amplificadores operacionales de propósito general.
Está diseñado para una amplia gama de aplicaciones analógicas.

Este es un BJT NPN de propósito general capaz de manejar corriente y voltaje moderados. Es ideal para conmutación de cargas pequeñas y amplificación de baja potencia.
NPN Transistor for switching and AF amplifier applications.

Vceo 40V, Ic 200mA, TO-92 Type, NPN Transistor, Este dispositivo está diseñado como amplificador e interruptor de propósito general. Su rango dinámico útil se extiende hasta 100 mA como interruptor y hasta 100 MHz como amplificador.

• Advanced process technology • Key parameters optimized for PDP Sustain & Energy Recovery applications • Low EPULSE rating to reduce the power

• Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Ruggedness • Fully Characterized Capacitance and Avalanche SOA • Enhanced body diode dV/dt and dI/dt Capability