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H27U1G8F2B	1 Gbit (128 M x 8 bit) NAND Flash Memory Hynix NAND H27U1G8F2B Series have 128 M x 8 bit with spare 4 M x 8 bit capacity. The device is offered in 3.3 V Vcc Power Supply, and with x8 I/O interface.		Memory

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1 Gbit (128 M x 8 bit) NAND Flash Memory

Electronic components

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PC817	Optoacoplador de alta densidad PC817 : 1-channel type PC847 : 4-channel type	Sharp
LM741	amplificador operativo Estos son amplificadores operacionales de propósito general. Está diseñado para una amplia gama de aplicaciones analógicas.	Fairchild Semiconductor
2N2222	Transistor de planificador de silicona NPN NPN Transistor for switching and AF amplifier applications.	SEMTECH
2N3904	transistor de conmutación NPN Vceo 40V, Ic 200mA, TO-92 Type, NPN Transistor, Este dispositivo está diseñado como amplificador e interruptor de propósito general. Su rango dinámico útil se extiende hasta 100 mA como interruptor y hasta 100 MHz como amplificador.	NXP

Componentes electrónicos recomendados

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H27U1G8F2B	1 Gbit (128 M x 8 bit) NAND Flash Memory Hynix NAND H27U1G8F2B Series have 128 M x 8 bit with spare 4 M x 8 bit capacity. The device is offered in 3.3 V Vcc Power Supply, and with x8 I/O interface.

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nuevas actualizaciones

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2SC1815	Transistor NPN planar epitaxial de silicio para conmutación y amplificadores de frecuencia. El transistor se divide en cuatro grupos: O, Y, G y L, dependiendo de su ganancia de CC. Se recomienda el transistor PNP ST 2SA1015 como tipo adicional.	Semtech	PDF

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