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H27S4G6F2D Buy Now and Stock |
PDF H27S4G6F2D Datasheet ( Hoja de datos ) |
| P/N | Descripción | Fabr. | Tag |
| H27S4G6F2D | 4 Gbit (512M x 8 bit) NAND Flash
H27S4G6F2D series is a 512Mx8bit with spare 16Mx8 bit capacity. The device is offered in 3.0/1.8 Vcc Power Supply, and with x8 and x16 I/O interface Its NAND cell provides the most cost-effective solution for the solid state mass storage market.
|  | data |
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Electronic components |
| P/N | Descripción | Fabr. | |
| PC817 | Optoacoplador de alta densidad PC817 : 1-channel type PC847 : 4-channel type |  Sharp |  |
| LM741 | amplificador operativo Estos son amplificadores operacionales de propósito general. Está diseñado para una amplia gama de aplicaciones analógicas. |  Fairchild Semiconductor | |
| 2N2222 | Transistor de planificador de silicona NPN NPN Transistor for switching and AF amplifier applications. |  SEMTECH | |
| 2N3904 | transistor de conmutación NPN Vceo 40V, Ic 200mA, TO-92 Type, NPN Transistor, Este dispositivo está diseñado como amplificador e interruptor de propósito general. Su rango dinámico útil se extiende hasta 100 mA como interruptor y hasta 100 MHz como amplificador. |  NXP | |
Componentes electrónicos recomendados |
| P/N | Descripción | Fabr. | |
| H27S4G6F2D | 4 Gbit (512M x 8 bit) NAND Flash H27S4G6F2D series is a 512Mx8bit with spare 16Mx8 bit capacity. The device is offered in 3.0/1.8 Vcc Power Supply, and with x8 and x16 I/O interface Its NAND cell provides the most cost-effective solu | | |
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nuevas actualizaciones
| P/N | Descripción | Fabr. | |
| 2SC1815 | Transistor NPN planar epitaxial de silicio para conmutación y amplificadores de frecuencia. |
Semtech |
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