EMBA3P03JS Datasheet PDF

P Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary: BVDSS 30V D RDSON (MAX.) 125mΩ ID 3.1A G S Pb Free Lead Plating & Halogen Free ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS, TEST CONDITIONS SYMBOL Gate Source Voltage Continuous Drain Current Pulsed Drain Current1 TA = 25 °C TA = 70 °C Power Dis

Este es un fotoacoplador (optoacoplador) diseñado para proporcionar aislamiento eléctrico entre los circuitos de entrada y salida. Cuando la corriente fluye a través del LED, este emite luz infrarroja que activa el fototransistor.

Estos son amplificadores operacionales de propósito general.
Está diseñado para una amplia gama de aplicaciones analógicas.

Este es un BJT NPN de propósito general capaz de manejar corriente y voltaje moderados. Es ideal para conmutación de cargas pequeñas y amplificación de baja potencia.
NPN Transistor for switching and AF amplifier applications.

Vceo 40V, Ic 200mA, TO-92 Type, NPN Transistor, Este dispositivo está diseñado como amplificador e interruptor de propósito general. Su rango dinámico útil se extiende hasta 100 mA como interruptor y hasta 100 MHz como amplificador.

P Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary: BVDSS 30V D RDSON (MAX.) 30mΩ ID 8A G S Pb Free Lead Plating & Halogen Free ABSOLUTE MAXIMUM

P Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary: BVDSS 30V D RDSON (MAX.) 20mΩ ID 8.7A G S Pb Free Lead Plating & Halogen Free ABSOLUTE M