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PDF C5516 Datasheet ( Hoja de datos ) |
P/N | Descripción | Fabr. | Tag |
C5516 | NPN Transistor, 2SC5516
Power Transistors
2SC5516
Silicon NPN triple diffusion mesa type
For horizontal deflection output
15.5±0.5
4.5
Unit: mm
q
q q
High breakdown voltage, and high reliability through the use of a glass passivation layer High-speed switching Wide area of safe operation (ASO) (TC=25˚C)
Ratings 1500 1500 600 5 30 20 8 70 3.5 150 55 to +150 Unit V V V V A A A W ˚C ˚C
10.0
s Features
φ3.2±0
| ![]() | data |
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Electronic components |
P/N | Descripción | Fabr. | |
PC817 | Optoacoplador de alta densidad PC817 : 1-channel type PC847 : 4-channel type | ![]() Sharp | ![]() |
LM741 | amplificador operativo Estos son amplificadores operacionales de propósito general. Está diseñado para una amplia gama de aplicaciones analógicas. | ![]() Fairchild Semiconductor | ![]() |
2N2222 | Transistor de planificador de silicona NPN NPN Transistor for switching and AF amplifier applications. | ![]() SEMTECH | ![]() |
2N3904 | transistor de conmutación NPN Vceo 40V, Ic 200mA, TO-92 Type, NPN Transistor, Este dispositivo está diseñado como amplificador e interruptor de propósito general. Su rango dinámico útil se extiende hasta 100 mA como interruptor y hasta 100 MHz como amplificador. | ![]() NXP | ![]() |
Componentes electrónicos recomendados |
P/N | Descripción | Fabr. | |
C5511 | NPN Transistor, 2SC5511 2SC5511
Transistors
For Audio Amplifier output - TV Velosity Modulation (160V, 1.5A)
2SC5511
zExternal dimensions (Unit : mm)
TO-220FN
10.0
zStructure NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor
4.5
| ![]() | ![]() |
C5516 | NPN Transistor, 2SC5516 Power Transistors
2SC5516
Silicon NPN triple diffusion mesa type
For horizontal deflection output
15.5±0.5
4.5
Unit: mm
q
q q
High breakdown voltage, and high reliability through the use of a g | ![]() | ![]() |
C551E | C-551E | ![]() | ![]() |
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P/N | Descripción | Fabr. | |
2SC1815 | Transistor NPN planar epitaxial de silicio para conmutación y amplificadores de frecuencia. |
![]() Semtech |
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