AWB459 Datasheet PDF

AWB459 Wide band MMIC Amplifier Features 20 dB Gain at 1200 MH- 23.5 dBm P1dB at 1200 MH- 38 dBm Output IP3 at 1200 MH- 1.25 dB NF +5 V Single Supply AWB459 Package Style: SOT89 Typical Performance (Supply Voltage = +5 V, TA = +25 °C, Z0 = 50 Ω) Parameters Units Typical Frequency MHz 30 512 Gain dB 24.0 23.5 S11 dB -15 -16 S22 Output IP31) dB dBm -15 -16 40 40 Noise Figure

Este es un fotoacoplador (optoacoplador) diseñado para proporcionar aislamiento eléctrico entre los circuitos de entrada y salida. Cuando la corriente fluye a través del LED, este emite luz infrarroja que activa el fototransistor.

Estos son amplificadores operacionales de propósito general.
Está diseñado para una amplia gama de aplicaciones analógicas.

Este es un BJT NPN de propósito general capaz de manejar corriente y voltaje moderados. Es ideal para conmutación de cargas pequeñas y amplificación de baja potencia.
NPN Transistor for switching and AF amplifier applications.

Vceo 40V, Ic 200mA, TO-92 Type, NPN Transistor, Este dispositivo está diseñado como amplificador e interruptor de propósito general. Su rango dinámico útil se extiende hasta 100 mA como interruptor y hasta 100 MHz como amplificador.

FEATURES InGaP HBT Technology -47 dBc ACPR @ ±10 MHz, +27 dBm 30 dB Gain High Efficiency Low Transistor Junction Temperature Matched for a 50 Ω System Low Profile Miniature Su

FEATURES InGaP HBT Technology -47 dBc ACPR @ 610 MHz, +27 dBm 29 dB Gain High Efficiency Low Transistor Junction Temperature Matched for a 50 Ω System Low Profile Miniature Sur