ASITPR175 Datasheet PDF

TPR175 NPN SILICON RF-MICROWAVE POWER TRANSISTOR DESCRIPTION: The ASI TPR175 is a common base transistor Designed for pulsed systems in the frequency band 1030-1090 MHz. PACKAGE STYLE FEATURES: Common Base Internal Matching Network PG = 8.0 dB at 175 W, 1090 MH- Omnigold™ Metalization System MAXIMUM RATINGS IC VCES VEBO PDISS TJ TSTG θJC 12.5 A 55 V 3.5 V 388 W @ TC = 25 °C -65 °C to

Este es un fotoacoplador (optoacoplador) diseñado para proporcionar aislamiento eléctrico entre los circuitos de entrada y salida. Cuando la corriente fluye a través del LED, este emite luz infrarroja que activa el fototransistor.

Estos son amplificadores operacionales de propósito general.
Está diseñado para una amplia gama de aplicaciones analógicas.

Este es un BJT NPN de propósito general capaz de manejar corriente y voltaje moderados. Es ideal para conmutación de cargas pequeñas y amplificación de baja potencia.
NPN Transistor for switching and AF amplifier applications.

Vceo 40V, Ic 200mA, TO-92 Type, NPN Transistor, Este dispositivo está diseñado como amplificador e interruptor de propósito general. Su rango dinámico útil se extiende hasta 100 mA como interruptor y hasta 100 MHz como amplificador.

AS-Interface Spec. V3.0 Compliant Universal AS-i IC ASI4U , ASI4U-E , ASI4U-F Datasheet Brief Description The ASI4U is a next-generation CMOS integrated circuit for AS-i networks. This low-level f

AS-Interface Spec. V3.0 Compliant Universal AS-i IC ASI4U , ASI4U-E , ASI4U-F Datasheet Brief Description The ASI4U is a next-generation CMOS integrated circuit for AS-i networks. This low-level f