ASDX100 Datasheet PDF

FCH072N60F N-Channel SuperFET® II FRFET® MOSFET December 2013 FCH072N60F N-Channel SuperFET® II FRFET® MOSFET 600 V, 52 A, 72 mΩ Features 650 V @ TJ = 150°C Typ. RDS(on) = 65 mΩ Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 165 nC) Low Effective Output Capacitance (Typ. Coss(eff.) = 441 pF) 100% Avalanche Tested RoHS Compliant Description SuperFET® II MOSFET is Fairchild Semiconductor’s bra

Este es un fotoacoplador (optoacoplador) diseñado para proporcionar aislamiento eléctrico entre los circuitos de entrada y salida. Cuando la corriente fluye a través del LED, este emite luz infrarroja que activa el fototransistor.

Estos son amplificadores operacionales de propósito general.
Está diseñado para una amplia gama de aplicaciones analógicas.

Este es un BJT NPN de propósito general capaz de manejar corriente y voltaje moderados. Es ideal para conmutación de cargas pequeñas y amplificación de baja potencia.
NPN Transistor for switching and AF amplifier applications.

Vceo 40V, Ic 200mA, TO-92 Type, NPN Transistor, Este dispositivo está diseñado como amplificador e interruptor de propósito general. Su rango dinámico útil se extiende hasta 100 mA como interruptor y hasta 100 MHz como amplificador.

SENSOR 1PSIG 0.09" 4.5V 8DIP, Amplified Output, Temperature Compensated

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