ASB0520 Datasheet PDF

ASB0520 SMD Schottky Barrier Diode Features IO = 500mA VR = 20V - Low forward voltage - Designed for mounting on small surface. - Extremely thin package. - Majority carrier conduction. - Lead-free device 0.015(0.40)Typ. 0.033(0.85) 0.027(0.70) General Description SOD-523F(1608) 0.071(1.80) 0.063(1.60) 0.039(1.00) 0.031(0.80) 0.012(0.30)Typ. 0.027(0.70)Typ. Dimensions in inches and (millimeter)

Este es un fotoacoplador (optoacoplador) diseñado para proporcionar aislamiento eléctrico entre los circuitos de entrada y salida. Cuando la corriente fluye a través del LED, este emite luz infrarroja que activa el fototransistor.

Estos son amplificadores operacionales de propósito general.
Está diseñado para una amplia gama de aplicaciones analógicas.

Este es un BJT NPN de propósito general capaz de manejar corriente y voltaje moderados. Es ideal para conmutación de cargas pequeñas y amplificación de baja potencia.
NPN Transistor for switching and AF amplifier applications.

Vceo 40V, Ic 200mA, TO-92 Type, NPN Transistor, Este dispositivo está diseñado como amplificador e interruptor de propósito general. Su rango dinámico útil se extiende hasta 100 mA como interruptor y hasta 100 MHz como amplificador.

DIOTEC ELECTRONICS CORP. 18020 Hobart Blvd., Unit B Gardena, CA 90248 U.S.A Tel.: (310) 767-1052 Fax: (310) 767-7958 Data Sheet No. BRSB-400-1C ABSB-400-1C FEATURES VOID FREE VACUUM DIE SOLDERING FO

DIOTEC ELECTRONICS CORP. 18020 Hobart Blvd., Unit B Gardena, CA 90248 U.S.A Tel.: (310) 767-1052 Fax: (310) 767-7958 Data Sheet No. BRSB-400-1C ABSB-400-1C FEATURES VOID FREE VACUUM DIE SOLDERING FO