ARF360S33 Datasheet PDF

POSEICO POSEICO SPA POwer SEmiconductors Italian COrporation POSEICO SPA Via N. Lorenzi 8, 16152 Genova - ITALY Tel. +39 010 6556234 - Fax +39 010 6557519 Sales Office: Tel. +39 010 6556775 - Fax +39 010 6442510 FAST RECOVERY DIODE FOR IGBT,IEGT,GCT APPLICATIONS SNUBBERLESS OPERATION LOW LOSSES SOFT RECOVERY FINAL SPECIFICATION mar 03 - ISSUE : 4 ARF360 Repetitive voltage up to Mean forward cur

Este es un fotoacoplador (optoacoplador) diseñado para proporcionar aislamiento eléctrico entre los circuitos de entrada y salida. Cuando la corriente fluye a través del LED, este emite luz infrarroja que activa el fototransistor.

Estos son amplificadores operacionales de propósito general.
Está diseñado para una amplia gama de aplicaciones analógicas.

Este es un BJT NPN de propósito general capaz de manejar corriente y voltaje moderados. Es ideal para conmutación de cargas pequeñas y amplificación de baja potencia.
NPN Transistor for switching and AF amplifier applications.

Vceo 40V, Ic 200mA, TO-92 Type, NPN Transistor, Este dispositivo está diseñado como amplificador e interruptor de propósito general. Su rango dinámico útil se extiende hasta 100 mA como interruptor y hasta 100 MHz como amplificador.

ARF300 125V, 300W, 45MHz N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE RF POWER MOSFET The ARF300 is a N-CHANNEL RF power transistor in a high ef ciency angeless package. It is designed for high voltage operation i

ARF301 125V, 300W, 45MHz P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE RF POWER MOSFET The ARF301 is a P-CHANNEL RF power transistor in a high ef ciency angeless package. It is designed for high voltage operation i