APM6928 Datasheet PDF

APM6928 N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Pin Description TSSOP-8 30V, 4A , RDS(ON)=15mΩ(typ.) @ VGS=10V RDS(ON)=25mΩ(typ.) @ VGS=4.5V Super High Dense Cell Design for Extremely Low RDS(ON) Reliable and Rugged TSSOP-8 Package Top View D1 S1 S1 G1 1 2 3 4 8 7 6 5 D2 S2 S2 G2 Applications Power Management in Notebook Computer , Portable Equipment and Battery Powered System

Este es un fotoacoplador (optoacoplador) diseñado para proporcionar aislamiento eléctrico entre los circuitos de entrada y salida. Cuando la corriente fluye a través del LED, este emite luz infrarroja que activa el fototransistor.

Estos son amplificadores operacionales de propósito general.
Está diseñado para una amplia gama de aplicaciones analógicas.

Este es un BJT NPN de propósito general capaz de manejar corriente y voltaje moderados. Es ideal para conmutación de cargas pequeñas y amplificación de baja potencia.
NPN Transistor for switching and AF amplifier applications.

Vceo 40V, Ic 200mA, TO-92 Type, NPN Transistor, Este dispositivo está diseñado como amplificador e interruptor de propósito general. Su rango dinámico útil se extiende hasta 100 mA como interruptor y hasta 100 MHz como amplificador.

Super High Dense Cell Design / Reliable and Rugged / Power Management in LCDTV Inverter

N-Channel Enhancement Mode MOSFET. RDS(ON)=8.2mW (typ.) @VGS=10V, RDS(ON)=13mW (typ.) @VGS=5V, Super HighDense CellDesign , Reliable and Rugged, Power Management in LCD monitor/TV inverter