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74V1G66S-TR Buy Now and Stock |
PDF 74V1G66S-TR Datasheet ( Hoja de datos ) |
| N.º | Número de pieza | Descripción | Fabricantes | Catagory |
| 1 | 74V1G66S-TR | SINGLE BILATERAL SWITCH
®
74V1G66
SINGLE BILATERAL SWITCH
s
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HIGH SPEED: tPD = 0.3 ns (TYP.) at VCC = 5V tPD = 0.4 ns (TYP.) at VCC = 3.3V LOW POWER DISSIPATION: ICC = 1 A (MAX.) at TA = 25 oC LOW ”ON” RESISTANCE: RON = 10Ω (TYP.)AT VCC = 5.0V II, O=100 A RON = 12Ω (TYP.)AT VCC = 3.3V II, O=100 A SINE WAVE DISTORTION 0.04% (TYP.) AT VCC=3.3V f=1KH- WIDE OPERATING VOLTAGE RANGE: VCC (OPR) = 2V to 5
|  STMicroelectronics | data |
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Electronic components |
| N.º | Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
| 1 | 74V1G00S | SINGLE 2-INPUT NAND GATE [ STMicroelectronics ] | |  |
| 2 | 74V1G02 | SINGLE 2-INPUT NOR GATE [ STMicroelectronics ] | | |
| 3 | 74V1G02C | SINGLE 2-INPUT NOR GATE [ STMicroelectronics ] | | |
| 4 | 74V1G02S | SINGLE 2-INPUT NOR GATE [ STMicroelectronics ] | | |
Рекомендуемые электронные компоненты |
| N.º | Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
| 1 | 74V1G66S-TR | SINGLE BILATERAL SWITCH ®
74V1G66
SINGLE BILATERAL SWITCH
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HIGH SPEED: tPD = 0.3 ns (TYP.) at VCC = 5V tPD = 0.4 ns (TYP.) at VCC = 3.3V LOW POWER DISSIPATION: ICC = 1 A (MAX.) at TA = 25 oC LOW ”ON” RE | STMicroelectronics | |
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nuevas actualizaciones
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
| 2SC1815 | Кремниевый эпитаксиальный планарный транзистор NPN для коммутации и усилителей частоты. Транзистор подразделяется на четыре группы: O, Y, G и L, в зависимости от его коэффициента усиления по постоянному току. В качестве дополнительного типа рекомендуется PNP-транзистор ST 2SA1015. |
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