3DA752 Datasheet PDF

isc Silicon NPN Power Transistor INCHANGE Semiconductor 3DA752 DESCRIPTION ·Low VCE(sat) ·Small and slim package ·100% avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS ·Power dissipation ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃) SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT VCBO Collector-Base Voltage 40 V VCEO Collector-Emitter Voltage 30

Este es un fotoacoplador (optoacoplador) diseñado para proporcionar aislamiento eléctrico entre los circuitos de entrada y salida. Cuando la corriente fluye a través del LED, este emite luz infrarroja que activa el fototransistor.

Estos son amplificadores operacionales de propósito general.
Está diseñado para una amplia gama de aplicaciones analógicas.

Este es un BJT NPN de propósito general capaz de manejar corriente y voltaje moderados. Es ideal para conmutación de cargas pequeñas y amplificación de baja potencia.
NPN Transistor for switching and AF amplifier applications.

Vceo 40V, Ic 200mA, TO-92 Type, NPN Transistor, Este dispositivo está diseñado como amplificador e interruptor de propósito general. Su rango dinámico útil se extiende hasta 100 mA como interruptor y hasta 100 MHz como amplificador.

8050M(3DA8050M) 硅 NPN 半 三 管, SILICON NPN TRANSISTOR 用途:用于功率放大 路。, Purpose: Power amplifier applications. 特点: 8550M(3CA8550M)互 。, Features: Complementary pair wi

KTD2092(3DA2092) 硅 NPN 半 三 管, SILICON NPN TRANSISTOR 用途：用于 、界面 路和 路。 Purpose: Switching application, interface circuit and driver circuit application. 特点：�