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3CT8B Datasheet PDF |
PDF 3CT8B Gate ( Hoja de datos ) |
| P/N | Descripción | Fabr. | |
| 3CT8B | Sensitive Gate SCRs
R
3CT8B
主要 MAIN CHARACTERISTICS
IT(AV) VDRM, VRRM IGT
封 Package
5A 600 V 10-140 μA
敏 型晶 管 Sensitive Gate SCRs
序 Pin 1 2 3
引 名
Description
K
A
G
DPAK
用途
半交流 相位控制
APPLICATIONS
Half AC switching
Phase control
TO-220 TO-220C
品特性
璃 化芯片，高可 性和一致性 低通 流和高浪涌 流能力 保 RoHS 品
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Electronic components |
| P/N | Descripción | Fabr. | |
| 3CT4S | TRIACS 向晶 管 R TRIACS
3CT4S
主要 MAIN CHARACTERISTICS
IT(RMS) VDRM IGT
4A 600V or 800V
10mA
用途
- 交流 - 相位控制
APPLICATIONS
- AC switching - Phase control
封 Package
序 Pin
1 2 | | |
| 3CT25S | TRIACS 向晶 管 R TRIACS
3CT25S
主要 MAIN CHARACTERISTICS
IT(RMS) VDRM IGT
25A 600V or 800V
35mA
用途
- 交流 - 相位控制
APPLICATIONS
- AC switching - Phase control
封 Package
序 Pin
1 | | |
| 3CT12B | Thyristor, SCR | | |
| 3CT5 | SCR |  | |
Componentes electrónicos recomendados |
| P/N | Descripción | Fabr. | |
| 3CTS1 | SCR 1
3CTS1
2 2.1
2.2
1A
400V TO-92
Tamb= 25
VDRM IT(AV)
ITSM
Tj Tstg
400 1
10
110 -40 110
V A
A
Tamb= 25
T2+ G+ T2+ GT2- GT2- G+ T2+ G+ T2+ GT2- GT2- G+
VTM IDRM IH
ITM=1.2A VDRM=400V RGK=1k VD | | |
| 3CT408 | SCR 3CT408
1
3CT408
2
2.1
2.2
TO-220AB
10.7max
4.8max 1.4max
3.84
6.9max
16.5max
Tamb= 25
VDRM VRRM IT(AV)
ITSM
PG(AV) Tstg
400 400 8
100
5 -40 110
V V A
A
W
12.5min
1.27
1.2max
2.54
2.54
| | |
| 3CT5 | SCR | | |
| 3CT8S | TRIACS | | |
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| P/N | Descripción | Fabr. | |
| 2SC1815 | Transistor NPN planar epitaxial de silicio para conmutación y amplificadores de frecuencia. |
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