2SC3241 Datasheet PDF

PDF 2SC3241 Transistor ( Hoja de datos )

P/N	Descripción	Fabr.	PDF
2SC3241	NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE TRANSISTOR 1. Collector to Base Voltage : Vcbo = 50 V 2. Collector to Emitter Voltage : Vceo = 20 V 3. Emitter to Base Voltage : Vebo = 5 V 4. Collector Current : Ic = 18 A 5. RF POWER TRANSISTOR

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NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE TRANSISTOR

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Electronic components

P/N	Descripción	Fabr.	PDF
2SC3223	High Voltage Ultra High Speed Switching Transistors
2SC3266	Silicon NPN Epitaxial Type TRANSISTOR TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) 2SC3266 Power Amplifier Applications Power Switching Applications 2SC3266 Unit: mm · Low saturation voltage: VCE (sat) = 0.5 V (max) (IC
2SC3235	SILICON POWER TRANSISTOR
2SC3200	SILICON NPN TRANSISTOR EPITAXIAL PLANAR TYPE(PCT PROCESS)

Componentes electrónicos recomendados

P/N	Descripción	Fabr.	PDF
2SC2762	18V, 0.4A, NPN Transistor, Can type Medium power output, Pout = 1.4 W TYP. @f = 500 MHz, Vcc = 12.6 V, Pin = 0.25 W
2SC5928	400V / 7A / NPN Transistor Switching Regulator Applications
2SC5586	550V / 5A / NPN Power Transistor
2SC5178R-T1	3V / 10mA / NPN Transistor ( 84T )

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2SC1815	Transistor NPN planar epitaxial de silicio para conmutación y amplificadores de frecuencia. El transistor se divide en cuatro grupos: O, Y, G y L, dependiendo de su ganancia de CC. Se recomienda el transistor PNP ST 2SA1015 como tipo adicional.	Semtech

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