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2SC2880 Datasheet PDF

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Toshiba 2SC2880-Y(TE12L,CF)
Trans GP BJT NPN 150V 0.05A 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R


PDF 2SC2880 Transistor ( Hoja de datos )

P/N Descripción Fabr. PDF
2SC2880 Silicon NPN Triple Diffused Type TRANSISTOR

TOSHIBA Transistor Silicon NPN Triple Diffused Type (PCT process) 2SC2880 2SC2880 High Voltage Switching Applications · High voltage: VCEO = 150 V · High transition frequency: fT = 120 MH- · Small flat package · PC = 1.0 to 2.0 W (mounted on ceramic substrate) · Complementary to 2SA1200 Maximum Ratings (Ta = 25°C) Characteristics Symbol Rating Collector-base voltage Collector-emitter
 		Toshiba Semiconductordatasheet 2SC2880 pdf
2SC2880 High Voltage Switching Applications
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Silicon NPN Triple Diffused Type TRANSISTOR

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P/N Descripción Fabr. PDF
2SC2812Silicon Epitaxial Planar Transistor

Production specification Silicon Epitaxial Planar Transistor FEATURES - High DC current gain:hFE=200TYP (VCE=6.0V,IC=1.0mA). - High Voltage:VCEO=50V. Pb Lead-free 2SC2812 APPLICATIONS - NPN Silic
Galaxy Microelectronics
datasheet 2SC2812 pdf
2SC2878Silicon NPN Epitaxial Type TRANSISTOR

TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type 2SC2878 2SC2878 For Muting and Switching Applications · High emitter-base voltage: VEBO = 25 V (min) · High reverse hFE: Reverse hFE = 150 (typ.) (VC
Toshiba Semiconductor
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2SC2829(2SCxxxx) Power Transistors

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2SC5178R-T13V / 10mA / NPN Transistor ( 84T )

Renesasdatasheet 2SC5178R-T1 pdf


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2SC1815

Transistor NPN planar epitaxial de silicio para conmutación y amplificadores de frecuencia.
El transistor se divide en cuatro grupos: O, Y, G y L, dependiendo de su ganancia de CC. Se recomienda el transistor PNP ST 2SA1015 como tipo adicional.

 SEMTECH
Semtech		 datasheet 2SC1815 pdf


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