![]() |
|
16N50C3 Buy Now and Stock |
PDF 16N50C3 Datasheet ( Hoja de datos ) |
N.º | Número de pieza | Descripción | Fabricantes | Catagory |
1 | 16N50C3 | SPP16N50C3
SPP16N50C3 SPI16N50C3, SPA16N50C3
Cool MOS™ Power Transistor
Feature New revolutionary high voltage technology Ultra low gate charge
VDS @ Tjmax RDS(on) ID
560 0.28 16
V Ω A
Periodic avalanche rated
PG-TO220FP PG-TO262
PG-TO220
Extreme dv, dt rated
2
Ultra low effective capacitances Improved transconductance
P-TO220-3-31
3 12
PG-TO-220-3-31;-3-111: Fully isolated package (2
| ![]() Infineon Technologies | data |
![]() |
Electronic components |
N.º | Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
1 | 16N50C | SIHF16N50C [ Vishay Siliconix ] | ![]() | ![]() |
Рекомендуемые электронные компоненты |
N.º | Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
1 | 16N50C | SIHF16N50C
SiHP16N50C, SiHB16N50C, SiHF16N50C
Vishay Siliconix
Power MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) at TJ max. RDS(on) (Ω) Qg (Max.) (nC) Qgs (nC) Qgd (nC) Configuration
TO-220AB TO-220 FULLPAK
FEATURES
560 | ![]() Vishay Siliconix | ![]() |
2 | 16N50C3 | SPP16N50C3 SPP16N50C3 SPI16N50C3, SPA16N50C3
Cool MOS™ Power Transistor
Feature New revolutionary high voltage technology Ultra low gate charge
VDS @ Tjmax RDS(on) ID
560 0.28 16
V Ω A
Periodic avala | ![]() Infineon Technologies | ![]() |
Esta es una página para buscar información de compra e inventario para 16N50C3. Para productos compatibles y de reemplazo con 16N50C3, descargue la hoja de datos para obtener más detalles. |
Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
2SC1815 | Кремниевый эпитаксиальный планарный транзистор NPN для коммутации и усилителей частоты. Транзистор подразделяется на четыре группы: O, Y, G и L, в зависимости от его коэффициента усиления по постоянному току. В качестве дополнительного типа рекомендуется PNP-транзистор ST 2SA1015. |
![]() Semtech |
DataSheet.es | 2020 | Privacy Policy | Contacto | Sitemap |