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PDF 13N50CF Datasheet ( Hoja de datos )

N.ºNúmero de piezaDescripciónFabricantesCatagory
113N50CFFQPF13N50CF

FQPF13N50CF — N-Channel QFET® FRFET® MOSFET June 2014 FQPF13N50CF N-Channel QFET® FRFET® MOSFET 500 V, 13 A, 540 mΩ Features • 13 A, 500 V, RDS(on) = 540 mΩ (Max.) @ VGS = 10 V, ID = 6.5 A • Low Gate Charge (Typ. 43 nC) • Low Crss (Typ. 20 pF) • 100% Avalanche Tested • Fast Rec
Fairchild Semiconductor
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FQPF13N50CF





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FQA13N50C-F109
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FQA13N50C-F109 MOSFET N-CH 500V 13.5A


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FQPF13N50CF Trans MOSFET N-CH 500V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Rail (Alt: FQPF13N50CF)
Compliant 30 Weeks, 0 Days

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FQPF13N50CF MOSFETs HIGH VOLTAGE
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FQPF13N50CF Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8A; Idm: 52A; 48W; TO220FP


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FQPF13N50CF POWER MOSFET TRANSISTOR
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FQA13N50C-F109 Stock, ship today


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Electronic components

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113N50CFFQPF13N50CF

[ Fairchild Semiconductor ]
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213N50HN-CHANNEL MOSFET

[ KIA ]
KIA
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313N50KN-CHANNEL POWER MOSFET

[ Unisonic Technologies ]
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Рекомендуемые электронные компоненты

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113N50CFQB13N50C

FQB13N50C/FQI13N50C QFET FQB13N50C/FQI13N50C 500V N-Channel MOSFET General Description These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchil
Fairchild Semiconductor
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213N50CFFQPF13N50CF

FQPF13N50CF — N-Channel QFET® FRFET® MOSFET June 2014 FQPF13N50CF N-Channel QFET® FRFET® MOSFET 500 V, 13 A, 540 mΩ Features • 13 A, 500 V, RDS(on) = 540 mΩ (Max.) @ VGS = 10 V, ID = 6.5
Fairchild Semiconductor
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Número de pieza Descripción Fabricantes PDF
2SC1815

Кремниевый эпитаксиальный планарный транзистор NPN для коммутации и усилителей частоты. Транзистор подразделяется на четыре группы: O, Y, G и L, в зависимости от его коэффициента усиления по постоянному току. В качестве дополнительного типа рекомендуется PNP-транзистор ST 2SA1015.

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