|
|
015A6.8 Buy Now and Stock |
PDF 015A6.8 Datasheet ( Hoja de datos ) |
N.º | Número de pieza | Descripción | Fabricantes | Catagory |
1 | 015A6.8 | Diode Silicon Epitaxial Planar Type
| Toshiba Semiconductor | diode |
2 | 015A6.8 | Diode Silicon Epitaxial Planar Type
| Toshiba Semiconductor | diode |
|
Electronic components |
N.º | Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
1 | 015A6.2 | Diode Silicon Epitaxial Planar Type [ Toshiba Semiconductor ] | ||
2 | 015A6.8 | Diode Silicon Epitaxial Planar Type [ Toshiba Semiconductor ] |
Рекомендуемые электронные компоненты |
N.º | Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
1 | 015A6.2 | Diode Silicon Epitaxial Planar Type | Toshiba Semiconductor | |
2 | 015A6.2 | Diode Silicon Epitaxial Planar Type | Toshiba Semiconductor | |
3 | 015A6.8 | Diode Silicon Epitaxial Planar Type | Toshiba Semiconductor | |
4 | 015A6.8 | Diode Silicon Epitaxial Planar Type | Toshiba Semiconductor |
Esta es una página para buscar información de compra e inventario para 015A6.8. Para productos compatibles y de reemplazo con 015A6.8, descargue la hoja de datos para obtener más detalles. |
Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
2SC1815 | Кремниевый эпитаксиальный планарный транзистор NPN для коммутации и усилителей частоты. Транзистор подразделяется на четыре группы: O, Y, G и L, в зависимости от его коэффициента усиления по постоянному току. В качестве дополнительного типа рекомендуется PNP-транзистор ST 2SA1015. |
Semtech |
DataSheet.es | 2020 | Privacy Policy | Contacto | Sitemap |