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PDF Si4407 Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | Si4407 | |
| Descripción | P-Channel Enhancement MOSFET | |
| Fabricantes | Nanxin | |
| Logotipo |  |
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Features
·Low On resistance.
·-4.5V drive.
·RoHS compliant.
Si4407
P-Channel Enhancement MOSFET
Si4407
Package Dimensions
Specifications
Absolute Maximum Ratings at Ta=250C
Parameter
Symbol
Drain-to-Source Voltage
VDSS
Gate-to-Source Voltage
VGSS
Drain Current (DC)
ID
Drain Current (Pulse)
IDP
Allowable Power Dissipation
PD
Total Dissipation
PT
Channel Temperature
Tch
Storage Temperature
Tstg
Conditions
PW≤10uS, duty cycle≤1%
Mounted on a ceramic board (1000mm2×0.8mm) 1unit
Mounted on a ceramic board (1000mm2×0.8mm)
Ratings
-30
+25
-9.2
-60
1.3
1.7
150
-55~+150
Unit
V
V
A
A
W
W
0C
0C
Electrical Characteristics at Ta=250C
Parameter
Symbol
Drain-to-Source Breakdown Voltage
Zero-Gate Voltage Drain Current
Gate-to-Source Leakage Current
Gate Threshold Voltage
Forward Transconductance
Static Drain-to-Source On-State Resistance
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
V(BR)DSS
IDSS
IGSS
VGS(th)
gFS
RDS(ON)
RDS(ON)
Ciss
Coss
Crss
Conditions
ID=-250uA, VGS=0V
VDS=-30V, VGS=0V
VGS=+25V, VDS=0V
VDS= VGS, ID=-250uA
VDS=-5V, ID=-10A
ID=-12A, VGS=-10V
ID=-10A, VGS=-5V
VDS=-15V, VGS=0V, f=1MHz
VDS=-15V, VGS=0V, f=1MHz
VDS=-15V, VGS=0V, f=1MHz
Ratings
min typ max
30
-10
+100
-1.7 -2.3 -3.0
21
10 13
27 38
2060 2600
370
295
Unit
V
uA
nA
V
S
mΩ
mΩ
pF
pF
pF
1
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SI4401DY | P-Channel 40-V (D-S) MOSFET |  Vishay Siliconix |
| SI4403BDY | P-Channel MOSFET |  Vishay |
| SI4403CDY | P-Channel MOSFET | Vishay |
| SI4403DY | P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET | Vishay Siliconix |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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