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PDF 2SK117 Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | 2SK117 | |
| Descripción | Silicon N Channel Junction Type | |
| Fabricantes | Apm | |
| Logotipo |  |
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Apm JFET
2SK117
Low Noise Amplifier Applications Silicon N Channel Junction Type
*High Yfs=15ms(typ)(VDS=10V,VGS=0)
*High VGDS=--30V
*Low noise:NF=1.0dB(typ)
(VDS=10V,ID=0.5mA,f=1kHz,RG=1k )
*High input impedance:IGSS=-1nA,VGS=-30V)
Absolute Maximum rating at Ta=25
SYMBOL
VGDS
IG
Tstg
Tj
PD
PARAMETER
Gate-Drain voltage
Gate current
storage temprature
operating junction temperature
Drain power dissipation
1:Drain
2:Gate
3:Source
MIN.
30
10
-55
-55
300
MAX.
+150
+125
123
TO-92
UNIT
V
mA
mW
Electrical Characteristics at Ta=25
SYMBOL PARAMETER
CONDITIONS
MIN
IGSS
Gate cut-off current
VGS=-30V
V(BR)GDS G-D breakdown voltage
VDS=0,IG=-100uA
-30
IDSS
Drain current
VDS=10V,VGS=0
1.2
VGS(off) G-S cut-off voltage
VDS=10V,ID=0.1uA
-0.2
Yfs Forward transfer admittance VDS=10V,VGS=0 f=1khz 4.0
Ciss Input capacitance
VDS=10V,VGS=0 f=1Mhz
Crss
Reverse transfer capacitance VGD=-10V,ID=0,f=1Mhz
NF(1)
Noise figure
VDS=10v,RG=1K
NF(2)
Noise figure
ID=0.5mA,f=10Hz
VDS=10v,RG=1K
ID=0.5mA,f=1KHz
Note:IDSS classification Y:1.2—3.0mA, GR:2.6—6.5mA, BL:6—14mA
TYP
15
13
3
5
1
MAX
-1.0
14
-1.5
10
2
UNIT
nA
V
mA
V
mS
pF
pF
dB
dB
2005-03-20 1/3
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| 2SK11 | (2SK11x) N-CHANNEL JFET TRANSISTOR |  Toshiba |
| 2SK1101-01MR | N-CHANNEL SILICON POWER MOS-FET |  Fuji Electric |
| 2SK1102-01M | N-CHANNEL SILICON POWER MOS-FET |  ETC |
| 2SK1102-01MR | N-CHANNEL SILICON POWER MOS-FET | ETC |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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