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PDF TPC8028 Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | TPC8028 | |
| Descripción | TPC8028 | |
| Fabricantes | Toshiba Semiconductor | |
| Logotipo |  |
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TPC8028
www.DataSheet4U.com
東芝電界効果トランジスタ シリコンNチャネルMOS形 (U-MOSⅣ)
TPC8028
○ リチウムイオン２次電池用
○ ノートブック PC 用
○ 携帯電子機器用
単位: mm
• 小型、薄型で実装面積が小さい。
• オン抵抗が低い。 : RDS (ON) = 3.5mΩ (標準)
• 順方向伝達アドミタンスが高い。
: |Yfs| = 40 S (標準)
• 漏れ電流が低い。 : IDSS = 10 µA (最大) (VDS = 30 V)
• 取り扱いが簡単な、エンハンスメントタイプです。
: Vth = 1.3 ~ 2.5 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)
絶対最大定格 (Ta = 25°C)
項目
記号
定格
単位
ドレイン･ソース間電圧
ド レ イ ン ･ゲ ー ト 間 電 圧
(RGS = 20 kΩ)
ゲート･ソース間電圧
D C (注 1)
ドレイン電流
パルス (注 1)
許 容 損 失 (t = 10 s) (注 2a)
許 容 損 失 (t = 10 s) (注 2b)
アバランシェエネルギー ( 単 発 )
(注 3)
アバランシェ電流
アバランシェエネルギー ( 連 続 )
(注 2a) (注 4)
チャネル温度
保存温度
VDSS
VDGR
VGSS
ID
IDP
PD
PD
EAS
IAR
EAR
Tch
Tstg
30
30
±20
18
72
1.9
1.0
84
18
0.066
150
−55~150
V
V
V
A
W
W
mJ
A
mJ
°C
°C
JEDEC
―
JEITA
―
東芝
2-6J1B
質量: 0.080 g (標準)
回路構成
8765
1234
注: (注 1)、(注 2)、(注 3)、(注 4) は次項を参照ください。
本製品の使用条件 (使用温度/電流/電圧等) が絶対最大定格以内での使用においても、高負荷 (高温および大電流/高電
圧印加、多大な温度変化等) で連続して使用される場合は、信頼性が著しく低下するおそれがあります。
弊社半導体信頼性ハンドブック (取り扱い上のご注意とお願いおよびディレーティングの考え方と方法) および個別
信頼性情報 (信頼性試験レポート、推定故障率等) をご確認の上、適切な信頼性設計をお願いします。
この製品は MOS 構造です。取り扱いの際には、静電気にご注意ください。
1 2009-09-29
1 page  
10
ソース接地
パルス測定
8
RDS (ON) – Ta
ID = 4.5,9,18 A
6
VGS = 4.5 V
4
VGS = 10 V
2
ID = 4.5,9,18 A
0
−80 −40
0
40 80 120 160
周囲温度 Ta (°C)
TPC8028
www.DataSheet4U.com
1000
100
10
10
1
IDR – VDS
4.5
3
ソース接地
Ta = 25°C
パルス測定
1
VGS = 0 V
0.1
0
−0.2
−0.4
−0.6
−0.8
−1.0
ドレイン･ソース間電圧 VDS (V)
10000
静電容量 – VDS
1000
Ciss
Coss
100
0.1
ソース接地
VGS = 0 V
f = 1 MHz
Ta = 25°C
1
Crss
10
ドレイン･ソース間電圧 VDS (V)
100
Vth – Ta
3
2.5
2
1.5
10 160
1
ソース接地
0.5 VDS = 10 V
ID = 1 mA
パルス測定
0
−80 −40
0 40 80
周囲温度 Ta (°C)
120
160
2
(1)
1.6
PD – Ta
(1)ガラスエポキシ基板 (a) 実装 (注 2a)
(2)ガラスエポキシ基板 (b) 実装 (注 2b)
t = 10 s
1.2
(2)
0.8
0.4
0
0 40 80 120 160
周囲温度 Ta (°C)
ダイナミック入出力特性
50 20
ソース接地
ID = 18 A
Ta = 25°C
40 パルス測定 16
30
VDS
20
10
VDD = 6V
12
2.4
VGS
12
8
4
00
0 10 20 30 40 50 60 70
ゲート入力電荷量 Qg (nC)
5 2009-09-29
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| TPC8020-H | Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type | Toshiba Semiconductor |
| TPC8021-H | High-Efficiency DC/DC Converter Applications | Toshiba Semiconductor |
| TPC8022-H | High-Efficiency DC/DC Converter Applications | Toshiba Semiconductor |
| TPC8025 | Field Effect Transistor | Toshiba Semiconductor |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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