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Número de pieza | 1N60P | |
Descripción | Schottky Barrier Diode | |
Fabricantes | Formosa MS | |
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1N60/1N60P
Schottky Barrier Diode
Features
1. High reliability
2. Low reverse current and low forward voltage
Applications
Low current rectification and high speed switching
Construction
Silicon epitaxial planar
Absolute Maximum Ratings
Tj=25
Parameter
Repetitive peak reverse voltage
Test Conditions
Peak forward surge current
Forward continuous current
tp 1 s
Ta=25
Storage temperature range
Type
1N60
1N60P
1N60
1N60P
1N60
1N60P
Symbol
VRRM
VRRM
IFSM
IFSM
IF
IF
Tstg
Value
40
45
150
500
30
50
-65~+125
Unit
V
V
mA
mA
mA
mA
Maximum Thermal Resistance
Tj=25
Parameter
Junction ambient
Test Conditions
on PC board 50mm 50mm 1.6mm
Symbol
RthJA
Value
250
Unit
K/W
www.formosams.com
Formosa MicroSemi CO., LTD.
Rev. 2, 22-Nov-2002
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PDF Descargar | [ Datasheet 1N60P.PDF ] |
Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
1N60 | GOLD BONDED GERMANIUM DIODE | ETC |
1N60 | GOLD BONDED GERMANIUM DIODE | ETC |
1N60 | Zender Diodes | American Microsemiconductor |
1N60 | Germanium Glass Diodes | International Semiconductor |
Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
Sanken |
SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
Analog Devices |
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