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PDF NTE486 Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | NTE486 | |
| Descripción | Silicon NPN Transistor RF High Frequency Amplifier | |
| Fabricantes | NTE | |
| Logotipo |  |
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NTE486
Silicon NPN Transistor
RF High Frequency Amplifier
Description:
The NTE486 is a silicon NPN high frequency RF transistor in a TO39 type package designed for use
in 12.5V UHF large–signal applications required in industrial equipment.
Features:
D Specified 12.5V, 470MHz Characteristics:
Output Power = 0.75W
Minimum Gain = 8dB
Effeciency = 50%
D S Parameter Data from 100MHz to 1GHz
Absolute Maximum Ratings:
Collector–Emitter Voltage, VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20V
Collector–Base Voltage, VCBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35V
Emitter–Base Voltage, VEBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4V
Continuous Collector Current, IC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 150mA
Total Device Dissipation (TC = +25°C), PD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.5W
Derate Above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14.3mW/°C
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +200°C
Electrical Characteristics: (TC = +25°C unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Test Conditions
OFF Characteristics
Collector–Emitter Breakdown Voltage
Collector–Base Breakdown Voltage
Emitter–Base Breakdown Voltage
Collector Cutoff Current
ON Characteristics
V(BR)CEO
V(BR)CBO
V(BR)EBO
ICEO
IC = 5mA, IB = 0
IC = 100µA, IE = 0
IE = 100µA, IC = 0
VCE = 15V, IB = 0
DC Current Gain
hFE VCE = 10V, IC = 50mA
Collector–Emitter Saturation Voltage
VCE(sat) IC = 50mA, IB = 5mA
Min Typ Max Unit
20 – – V
35 – – V
4 – –V
– – 10 µA
20 60 150
– – 0.5 V
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| NTE48 | Silicon NPN Transistor Darlington / General Purpose Amplifier / High Current | NTE |
| NTE480 | Silicon NPN Transistor RF Power Output for Broadband Amp / PO = 40W @ 512MHz | NTE |
| NTE4828 | Surge Clamping / Transient Overvoltage Suppressor Unidirectional | NTE |
| NTE483 | Silicon NPN Transistor RF Power Output for Mobile Use / PO = 18W @ 866MHz | NTE |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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