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PDF NTE396 Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | NTE396 | |
| Descripción | Silicon NPN Transistor Power Amplifier & High Speed Switch (Compl to NTE397) | |
| Fabricantes | NTE | |
| Logotipo |  |
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NTE396
Silicon NPN Transistor
Power Amplifier & High Speed Switch
(Compl to NTE397)
Absolute Maximum Ratings:
Collector–Emitter Voltage, VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 350V
Collector–Base Voltage, VCBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 450V
Emitter–Base Voltage, VEBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7V
Continuous Collector Current, IC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1A
Base Current, IB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 500mA
Total Device Dissipation (TA = +25°C), PD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1W
Derate Above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5.7mW/°C
Total Device Dissipation (TC = +25°C), PD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5W
Derate Above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 28.6mW/°C
Operating Junction Temperature Range, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +200°C
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +200°C
Thermal Resistance, Junction–to–Case, RthJC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35°C/W
Thermal Resistance, Junction–to–Ambient, RthJA . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 175°C/W
Electrical Characteristics: (TA = +25°C unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Test Conditions
Min Typ Max Unit
OFF Characteristics
Collector–Emitter Sustaining Voltage
Collector Cutoff Current
Emitter Cutoff Current
ON Characteristics (Note 1)
VCEO(sus)
ICEO
ICEX
ICBO
IEBO
IC = 50mA, IB = 0, Note 1
VCE = 300V, IB = 0
VCE = 450V, VBE = 1.5V
VCB = 360V, IE = 0
VEB = 6V, IC = 0
350 – – V
– – 20 µA
– – 500 µA
– – 20 µA
– – 20 µA
DC Current Gain
hFE IC = 2mA, VCE = 10V
30
IC = 20mA, VCE = 10V
40
Collector–Emitter Saturation Voltage VCE(sat) IC = 50mA, IB = 4mA
–
Base–Emitter Saturation Voltage VBE(sat) IC = 50mA, IB = 4mA
–
Note 1. Pulse Test; Pulse Width ≤ 300µs, Duty Cycle ≤ 2%.
CAUTION: The sustaining voltage must not be measured on a curve tracer.
––
– 160
– 0.5 V
– 1.3 V
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| NTE39 | Silicon PNP Transistor Line-Operated Series Pass/Switching Regulator (Compl to NTE157) | NTE |
| NTE390 | Silicon Complementary Transistors General Purpose | NTE |
| NTE391 | Silicon Complementary Transistors | NTE |
| NTE392 | Silicon Complementary Transistors General Purpose | NTE |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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