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PDF NTE367 Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | NTE367 | |
| Descripción | Silicon NPN Transistor RF Power Amplifier PO = 45W @ 512MHz | |
| Fabricantes | NTE | |
| Logotipo |  |
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NTE367
Silicon NPN Transistor
RF Power Amplifier
PO = 45W @ 512MHz
Description:
The NTE367 is a silicon NPN RF power transistor in a W65 type package designed for 12.5V UHF
large–signal amplifier applications in industrial and commercial FM equipment operating to 512MHz.
Features:
D Specified 12.5V, 470MHz Characteristics:
Output Power: 45W
Minimum Gain: 4.8dB
Efficiency: 55%
D Characterized with Series Equivalent Large–Signal Impedance Parameters
D Built–In Matching Network for Broadband Operation
D Tested for Load Mismatch Stress at all Phase Angles with 20:1 VSWR @ 16V High Line and
50% Overdrive
Absolute Maximum Ratings:
Collector–Emitter Voltage, VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16V
Collector–Base Voltage, VCBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 36V
Emitter–Base Voltage, VEBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4V
Continuous Collector Current, IC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9A
Total Device Dissipation (TC = +25°C), PD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 117W
Derate Above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 670mW/°C
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +150°C
Thermal Resistance, Junction to Case, RΘJC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.5°C/W
Electrical Characteristics: (TC = +25°C unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Test Conditions
Min Typ Max Unit
OFF Characteristics
Collector–Emitter Breakdown Voltage V(BR)CEO IC = 20mA, IB = 0
16 –
–V
V(BR)CES IC = 20mA, VBE= 0
36 –
–V
Emitter–Base Breakdown Voltage
V(BR)EBO IE = 5mA, IC – 0
4 – –V
Collector Cutoff Current
ICES VCE = 15V, VBE = 0, TC = +25°C –
– 10 mA
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| NTE36 | Silicon Complementary Transistors AF Power Amplifier / High Current Switch | NTE |
| NTE361 | Silicon NPN Transistor RF Power Output PO = 2W @ 512MHz | NTE |
| NTE362 | Silicon NPN Transistor RF Power |  NTE Electronics |
| NTE363 | Silicon NPN Transistor RF Power Amp / PO = 4W | NTE |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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