|
|
PDF NTE349 Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | NTE349 | |
| Descripción | Silicon NPN Transistor RF Power Amp / Driver | |
| Fabricantes | NTE | |
| Logotipo |  |
|
Hay una vista previa y un enlace de descarga de NTE349 (archivo pdf) en la parte inferior de esta página. Total 2 Páginas | ||
|
No Preview Available !
NTE349
Silicon NPN Transistor
RF Power Amp, Driver
Description:
The NTE349 is a silicon NPN transistor in a T72H type package designed primarily for use in 13.6V
VHF large–signal amplifier applications required in military and industrial equipment to 240MHz.
Features:
D Specified 13.6V, 175MHz Characteristics:
Output Power = 10W
Minimum Gain = 5.2dB
Efficiency = 50%
Absolute Maximum Ratings:
Collector–Emitter Voltage, VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18V
Collector–Base Voltage, VCB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 36V
Emitter–Base Voltage, VEB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4V
Continuous Collector Current, IC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2A
Total Device Dissipation (TC = +25°C), PD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30W
Derate Above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0171mW/°C
Operating Junction Temperature Range, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +200°C
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +200°C
Electrical Characteristics: (TC = +25°C unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Test Conditions
Min Typ Max Unit
OFF Characteristics
Collector–Emitter Breakdown Voltage
Emitter–Base Breakdown Voltage
Collector Cutoff Current
V(BR)CEO IC = 200mA, IB = 0
V(BR)EBO IE = 2.5mA, IC = 0
ICBO VCB = 15V, IE = 0
18 –
–V
4 – –V
– – 1.0 mA
ON Characteristics
DC Current Gain
Dynamic Characteristics
hFE IC = 250mA, VCE = 5V
5––
Output Capacitance
Cob VCB = 15V, IE = 0, f = 0.1 to 1MHz –
35 70 pF
1 page | ||
| Páginas | Total 2 Páginas | |
| PDF Descargar | [ Datasheet NTE349.PDF ] | |
Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| NTE340 | Silicon NPN Transistor RF Power Output / High Frequency | NTE |
| NTE341 | Silicon NPN Transistor RF Power Output | NTE |
| NTE342 | Silicon NPN Transistor RF Power Output (PO = 6W / 175MHz) | NTE |
| NTE343 | Silicon NPN Transistor RF Power Output (PO = 14W / 175MHz) | NTE |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
|
DataSheet.es es una pagina web que funciona como un repositorio de manuales o hoja de datos de muchos de los productos más populares, |
| DataSheet.es | 2020 | Privacy Policy | Contacto | Buscar |