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PDF NTE326 Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | NTE326 | |
| Descripción | Silicon P-Channel JFET Transistor General Purpose AF Amplifier | |
| Fabricantes | NTE | |
| Logotipo |  |
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NTE326
Silicon P–Channel JFET Transistor
General Purpose AF Amplifier
Absolute Maximum Ratings: (TA = +25°C unless otherwise specified)
Drain–Gate Voltage, VDG . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40V
Reverse Gate–Source Voltage, VGSR . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40V
Forward Gate Current, IG(f) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10mA
Total Device Dissipation (TA = +25°C), PD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 310mW
Derate Above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.82mW/°C
Operating Junction Temperature Range, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +135°C
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +150°C
Electrical Characteristics: (TA = +25°C unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Test Conditions
Min Typ Max
Unit
OFF Characteristics
Gate–Source Breakdown Voltage
Gate Reverse Current
Gate–Source Cutoff Voltage
Gate–Source Voltage
ON Characteristics
V(BR)GSS IG = 10µA, VDS = 0
40 – –
IGSS VGS = 20V, VDS = 0
––5
VGS = 20V, VDS = 0, TA = +100°C – – 1
VGS(off) ID = 1µA, VDS = 15V
1.0 – 7.5
VGS ID = 0.2mA, VDS = 15V
0.8 – 4.5
V
nA
µA
V
V
Zero–Gate–Voltage Drain Current
Small–Signal Characteristics
IDSS VDS = 15V, VGS = 0, f = 1kHz
2–9
mA
Forward Transfer Admittance
Output Admittance
Input Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Functional Characteristics
|yfs| VDS = 15V, VGS = 0, f = 1kHz
|yos| VDS = 15V, VGS = 0, f = 1kHz
Ciss VDS = 15V, VGS = 0, f = 1MHz
Crss VDS = 15V, VGS = 0, f = 1MHz
1500 – 5000 µmho
– – 75 µmho
–57
pF
–12
pF
Noise Figure
NF VDS = 15V, VGS = 0, RG = 1MΩ,
f = 100Hz, BW = 1Hz
– 1.0 2.5
dB
Equivalent Short–Circuit Input Noise
Voltage
en VDS = 15V, VGS = 0, f = 100Hz,
BW = 1Hz
– 60 115 nV/pHz
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| NTE32 | Silicon Complementary Transistors | NTE |
| NTE320 | Silicon NPN RF Power Transistor 40W @ 175MHz | NTE |
| NTE320F | Silicon NPN RF Power Transistor 40W @ 175MHz | NTE |
| NTE322 | Silicon NPN Transistor RF Power Output | NTE |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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