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PDF NTE2988 Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | NTE2988 | |
| Descripción | MOSFET N-Channel / Enhancement Mode High Speed Switch | |
| Fabricantes | NTE | |
| Logotipo |  |
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NTE2988
MOSFET
N–Channel, Enhancement Mode
High Speed Switch
Description:
The NTE2988 is an N–Channel, enhancement mode, power field effect transistor in a TO52 type
package designed especially for low power inverters, interface to CMOS and TTL logic, and line drivers.
Features:
D High Input Impedance
D Extremely Fast Switching
D Rugged–Dissipation Limited SOA
D Internal Drain–Source Diode
Benefits:
D Reduced Component Count
D Simpler Designs – Directly Interfaces CMOS & TTL
D Improved Circuit Performance
D Increased Reliability
Absolute Maximum Ratings: (TA = +25°C unless otherwise specified)
Drain–Source Voltage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60V
Drain–Gate Voltage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60V
Peak Gate Current . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100mA
Gate–Source Voltage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +15V, –0.3V
Drain Current
Continuous (Note 1) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ±0.2A
Pulsed (Note 2) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ±1.0A
Maximum Dissipation (TC = +25°C) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 315mW
Linear Derating Factor . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.5mW/°C
Operating Temperature Range, Topr . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +150°C
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +150°C
Lead Temperature (During Soldering, 1/16” from case, 10sec), TL . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +300°C
Note 1. Limited by package dissipation.
Note 2. Pulse test – 80µs to 300µs, 1% duty cycle.
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| NTE298 | Silicon Complementary Transistors | NTE |
| NTE2980 | Logic Level MOSFET N-Channel / Enhancement Mode High Speed Switch | NTE |
| NTE2981 | Logic Level MOSFET N-Channel / Enhancement Mode High Speed Switch | NTE |
| NTE2984 | Logic Level MOSFET N-Channel / Enhancement Mode High Speed Switch | NTE |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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