|
|
PDF NTE2578 Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | NTE2578 | |
| Descripción | Silicon NPN Transistor TV Horizontal Deflection Output | |
| Fabricantes | NTE | |
| Logotipo |  |
|
Hay una vista previa y un enlace de descarga de NTE2578 (archivo pdf) en la parte inferior de esta página. Total 2 Páginas | ||
|
No Preview Available !
NTE2578
Silicon NPN Transistor
TV Horizontal Deflection Output
Features:
D Excellent Fall Time Permitting Efficient Drive with Less Internal Dissipation
Absolute Maximum Ratings: (TA = +25°C unless otherwise specified)
Collector–Base Voltage, VCBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200V
Collector–Emitter Voltage, VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60V
Emitter–Base Voltage, VEBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6V
Collector Current, IC
Continuous . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4.5A
Peak . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10A
Collector Dissipation (TC = +25°C), PC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30W
Operating Junction Temperature, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +150°C
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +150°C
Electrical Characteristics: (TA = +25°C unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Test Conditions
Min Typ Max Unit
Collector Cutoff Current
ICBO VCB = 40V, IE = 0
– – 0.1 mA
Emitter Cutoff Current
IEBO VEB = 5V, IC = 0
– – 0.1 mA
DC Current Gain
hFE VCE = 5V, IC = 1A
30 – 60
VCE = 5V, IC = 4A
25 – –
Gain Bandwidth Product
fT VCE = 5V, IC = 1A
– 10 – MHz
Collector–Emitter Saturation Voltage VCE(sat) IC = 4A, IB = 400mA
– 0.5 1.0 V
Base–Emitter Saturation Voltage
VBE(sat) IC = 4A, IB = 400mA
– – 1.5 V
Collector–Base Breakdown Voltage V(BR)CBO IC = 5mA, IE = 0
200 – – V
Collector–Emitter Breakdown Voltage V(BR)CEO IC = 5mA, RBE = ∞
60 – – V
Emitter–Base Breakdown Voltage
V(BR)EBO IC = 5mA, IC = 0
6––V
Fall Time
tf VCC = 50V, VBB = 5V,
– 0.2 0.5 µs
IC = 5A, IB1 = –IB2 = 500mA,
PW = 20µs, Duty Cycle ≤
2.5%
1 page | ||
| Páginas | Total 2 Páginas | |
| PDF Descargar | [ Datasheet NTE2578.PDF ] | |
Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| NTE2570 | Silicon Complementary Transistors High Current Switch | NTE |
| NTE2571 | Complementary Silicon Transistors | NTE |
| NTE2572 | Silicon NPN Transistor High Current Switch | NTE |
| NTE2574 | Silicon Complementary Transistors Video Output for HDTV | NTE |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
|
DataSheet.es es una pagina web que funciona como un repositorio de manuales o hoja de datos de muchos de los productos más populares, |
| DataSheet.es | 2020 | Privacy Policy | Contacto | Buscar |