|
|
PDF NTE2384 Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | NTE2384 | |
| Descripción | MOSFET N-Channel Enhancement Mode / High Speed Switch | |
| Fabricantes | NTE | |
| Logotipo |  |
|
Hay una vista previa y un enlace de descarga de NTE2384 (archivo pdf) en la parte inferior de esta página. Total 2 Páginas | ||
|
No Preview Available !
NTE2384
MOSFET
N–Channel Enhancement Mode,
High Speed Switch
Absolute Maximum Ratings:
Drain–Source Voltage, VDS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 800V
Drain–Gate Voltage (RGS = 20kΩ), VDGR . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 800V
Gate–Source Voltage, VGS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ±20V
Pulsed Drain Current (TC = +25°C), IDM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 24A
Continuous Drain Current, ID
TC = +30°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6.0A
TC = +100°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.9A
Total Dissipation (TC = +25°C), Ptot . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 125W
Operating Junction Temperature, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +150°C
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +150°C
Maximum Thermal Resistance, Junction–to–Case, RthJC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.0°C/W
Typical Thermal Resistance, Junction–to–Ambient, RthJA . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35°C/W
Electrical Characteristics: (TC = +25°C unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Test Conditions
Static Characteristics
Drain–Source Breakdown Voltage
Zero–Gate Voltage Drain Current
Gate–Body Leakage Current
Gate Threshold Voltage
Static Drain–Source On Resistance
Dynamic Characteristics
V(BR)DSS
IDSS
IGSS
VGS(th)
RDS(on)
ID = 250µA, VGS = 0
VGS = 0, VDS = 800V, TJ = +25°C
VGS = 0, VDS = 800V, TJ = +125°C
VDS = 0, VGS = ±20V
VDS = VGS, ID = 1mA
VGS = 10V, ID = 3A
Forward Transconductance
Input Capactiance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capactiance
Turn–On Time
Rise Time
Turn–Off Delay Time
Fall Time
gfs
Ciss
Coss
Crss
td(on)
tr
td(off)
tf
VDS = 25V, ID = 3A
VDS = 25V, VGS = 0, f = 1MHz
VDD = 30V, ID = 2.6A, VGS = 10V,
RGS = 50Ω, Rgen = 50Ω
Min Typ Max Unit
800 –
–V
– 20 250 µA
– 0.1 1.0 mA
– 10 100 nA
2.1 3.0 4.0 V
– 1.3 1.5 Ω
1.8 3.0 – mho
– 3900 5000 pf
– 200 350 pf
– 80 140 pf
– 60 90 ns
– 90 140 ns
– 330 430 ns
– 110 140 ns
1 page | ||
| Páginas | Total 2 Páginas | |
| PDF Descargar | [ Datasheet NTE2384.PDF ] | |
Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| NTE238 | Silicon NPN Transistor Color TV / Horizontal Output | NTE |
| NTE2380 | Complementary Silicon Gate MOSFETs Enhancement Mode / High Speed Switch | NTE |
| NTE2381 | Complementary Silicon Gate MOSFETs | NTE |
| NTE2382 | MOSFET N-Channel Enhancement Mode / High Speed Switch (Compl to NTE2383) | NTE |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
|
DataSheet.es es una pagina web que funciona como un repositorio de manuales o hoja de datos de muchos de los productos más populares, |
| DataSheet.es | 2020 | Privacy Policy | Contacto | Buscar |