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PDF NTE2353 Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | NTE2353 | |
| Descripción | Silicon NPN Transistor TV Horizontal Deflection Output w/Damper Diode | |
| Fabricantes | NTE | |
| Logotipo |  |
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NTE2353
Silicon NPN Transistor
TV Horizontal Deflection Output
w/Damper Diode
Features:
D High Speed: tf = 100nsec
D High Breakdown Voltage: VCBO = 1500V
D On–Chip Damper Diode
Absolute Maximum Ratings: (TA = +25°C unless otherwise specified)
Collector–Base Voltage, VCBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1500V
Collector–Emitter Voltage, VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 800V
Emitter–Base Voltage, VEBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6V
Collector Current, IC
Continuous . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10A
Peak . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30A
Collector Dissipation (TC = +25°C), PC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 70W
Operating Junction Temperature, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +150°C
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +150°C
Electrical Characteristics: (TA = +25°C unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Test Conditions
Min Typ Max Unit
Collector Cutoff Current
ICES VCE = 1500V
– – 1.0 mA
ICBO VCB = 800V
– – 10 µA
Collector Sustain Voltage
VCEO(sus) IC = 100mA, IB = 0
800 – – V
Emitter Cutoff Current
IEBO VEB = 4V
40 – 130 mA
Collector Emitter Saturation Voltage VCE(sat) IC = 8A, IB = 1.6A
––5V
Base Emitter Saturation Voltage VBE(sat) IC = 8A, IB = 1.6A
– – 1.5 V
DC Current Gain
hFE1 VCE = 5V, IC = 1A
8––
hFE2 VCE = 5V, IC = 8A
5 – 10
Diode Forward Voltage
VF IEC = 10A
– – 2.0 V
FallTime
tf IC = 6A, IB1 = 1.2A, IB2 = 2.4A – 0.1 0.3 µs
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| NTE235 | Silicon NPN Transistor Final RF Power Output | NTE |
| NTE2350 | Silicon Darlington Transistors | NTE |
| NTE2351 | Silicon Complementary Transistors Darlington Power Amp / Switch | NTE |
| NTE2352 | Silicon Complementary Transistors | NTE |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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