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PDF NTE218 Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | NTE218 | |
| Descripción | Silicon PNP Transistor Audio Power Output | |
| Fabricantes | NTE | |
| Logotipo |  |
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NTE218
Silicon PNP Transistor
Audio Power Output
Description:
The NTE218 is ideal for use as a driver, switch and medium–power amplifier applications. This device
features:
Features:
D Low Saturation Voltage – 0.6VCE(sat) @ IC = 1A
D High Gain Characteristics – hFE @ IC = 250mA: 30–100
D Excellent Safe Area Limits
Absolute Maximum Ratings:
Collector–Emitter Voltage, VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 80V
Collector–Base Voltage, VCB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 80V
Emitter–Base Voltage, VEB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7V
Collector Current, IC
Continuous . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4A
Peak (Note 1) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10A
Base Current, IB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.A
Total Device Dissipation (TC = +25°C), PD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25W
Derate above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.143W/°C
Operating Junction Temperature Range, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +200°C
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +200°C
Note 1 Pulse Test: Pulse Width ≤ 300µs, Duty Cycle ≤ 2.0%.
Electrical Characteristics: (TC = +25°C unless otherwise sepcified)
Parameter
Symbol
Test Conditions
Min Typ Max Unit
OFF Characteristics
Colector–Emitter Sustaining Voltage VCEO(sus) IC = 100mA, IB = 0, Note 1
80 – – V
Emitter Cutoff Current
Collector Cutoff Current
IEBO
ICEX
ICEO
ICBO
VEB = 7V
VCE = 80V, VBE(off) = 1.5V
VCE = 60V, VBE(off) = 1.5V, TC = +150°C
VCE = 60V, IB = 0
VCB = 80V, IE = 0
–
–
–
–
1
– 0.5 mA
– 100 µA
– 1.0 mA
– 1.0 mA
– 100 µA
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| NTE21 | Silicon Complementary Transistors | NTE |
| NTE210 | Silicon Complementary Transistors General Purpose Output & Driver | NTE |
| NTE2102 | Integrated Circuit NMOS / 1K Static RAM (SRAM) / 350ns | NTE |
| NTE211 | Silicon Complementary Transistors | NTE |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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