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PDF NTE194 Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | NTE194 | |
| Descripción | Silicon NPN Transistor Audio Power Amplifier | |
| Fabricantes | NTE | |
| Logotipo |  |
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NTE194
Silicon NPN Transistor
Audio Power Amplifier
Description:
The NTE194 is a silicon NPN amplifier transistor packaged in a standard TO92 case.
Absolute Maximum Ratings:
Collector–Emitter Voltage, VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 160V
Collector–Base Voltage, VCBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 180V
Emitter–Base Voltage, VEBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6V
Continuous Collector Current, IC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 600mA
Total Device Dissipation (TA = +25°C), PD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 350mW
Derate above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.8mW/°C
Total Device Dissipation (TC = +25°C), PD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.0W
Derate above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8.0mW/°C
Operating Junction Temperature Range, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +150°C
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +150°C
Thermal Resistance, Junction–to–Case, RthJC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 125°C/W
Thermal Resistance, Junction–to–Ambient (Note 1), RthJA . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 357°C/W
Note 1 RthJA is measured with the device soldered into a typical printed circuit board.
Electrical Characteristics: (TA = +25°C unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Test Conditions
OFF Characteristics
Collector–Emitter Breakdown Voltage
Collctor–Base Breakdown Voltage
Emitter–Base Breakdown Voltage
Collector Cutoff Current
Emitter Cutoff Current
V(BR)CEO IC = 1mA, IB = 0, Note 2
V(BR)CBO IC = 100µA, IE = 0
V(BR)EBO IE = 10µA, IC = 0
ICBO VCB = 120V, IE = 0
VCB = 120V, IE = 0, TA = +100°C
IEBO VEB = 4V, IC = 0
Min Typ Max Unit
180 –
180 –
6–
––
––
––
–V
–V
–V
50 nA
50 nA
50 nA
Note 2 Pulse Test: Pulse Width = 300µs, Duty Cycle = 2.0%.
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| NTE19 | Silicon Complementary Transistors | NTE |
| NTE190 | Silicon NPN Transistor High Voltage Amplifier | NTE |
| NTE1900 | Integrated Circuit 3-Terminal Adjustable Positive Voltage Regulator | NTE |
| NTE1901 | Integrated Circuit Negative Adjustable Voltage Regulator / -1.2V to -37V / 100mA | NTE |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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