PDF PHP109 Data sheet ( Hoja de datos )

Número de pieza	PHP109
Descripción	P-channel enhancement mode MOS transistor
Fabricantes	NXP Semiconductors
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No Preview Available ! DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET PHP109 P-channel enhancement mode MOS transistor Product speciﬁcation Supersedes data of 1996 Jun 11 File under Discrete Semiconductors, SC13b 1997 Jun 18 1 page Philips Semiconductors P-channel enhancement mode MOS transistor Product speciﬁcation PHP109 CHARACTERISTICS Tj = 25 °C unless otherwise speciﬁed. SYMBOL PARAMETER V(BR)DSS VGSth IDSS IGSS RDSon drain-source breakdown voltage gate-source threshold voltage drain-source leakage current gate leakage current drain-source on-state resistance Ciss Coss Crss QG QGS QGD input capacitance output capacitance reverse transfer capacitance total gate charge gate-source charge gate-drain charge Switching times (see Fig.11) td(on) tf ton td(off) tr toff turn-on delay time fall time turn-on switching time turn-off delay time rise time turn-off switching time Source-drain diode VSD source-drain forward voltage trr reverse recovery time CONDITIONS VGS = 0; ID = −10 µA VGS = VDS; ID = −1 mA VGS = 0; VDS = −24 V VGS = ±20 V; VDS = 0 VGS = −4.5 V; ID = −1.25 A VGS = −10 V; ID = −2.5 A VGS = 0; VDS = −24 V; f = 1 MHz VGS = 0; VDS = −24 V; f = 1 MHz VGS = 0; VDS = −24 V; f = 1 MHz VGS = −10 V; VDD = −15 V; ID = −2.5 A VGS = −10 V; VDD = −15 V; ID = −2.5 A VGS = −10 V; VDD = −15 V; ID = −2.5 A MIN. −30 −1 − − − − − − − − − − TYP. − − − − − − 825 350 150 30 3 12 MAX. − −2.8 −100 ±100 0.15 0.09 − − − 40 − − UNIT V V nA nA Ω Ω pF pF pF nC nC nC VGS = 0 to −10 V; VDD = −15 V; ID = −1 A; RL = 15 Ω; Rgen = 6 Ω VGS = −10 to 0 V; VDD = −15 V; ID = −1 A; RL = 15 Ω; Rgen = 6 Ω − − − − − − 7 − ns 10 − ns 17 35 ns 60 − ns 40 − ns 100 200 ns VGD = 0; IS = −1.25 A IS = −1.25 A; di/dt = 100 A/µs − − − −1.3 V 70 − ns 1997 Jun 18 5 5 Page Philips Semiconductors P-channel enhancement mode MOS transistor NOTES Product speciﬁcation PHP109 1997 Jun 18 11 11 Page

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Hoja de datos destacado

Número de pieza	Descripción	Fabricantes
PHP101NQ03LT	TrenchMOS logic level FET	NXP Semiconductors
PHP101NQ04T	N-channel TrenchMOS standard level FET	NXP Semiconductors
PHP1025	P-channel enhancement mode MOS transistor	NXP Semiconductors
PHP1035	P-channel enhancement mode MOS transistor	NXP Semiconductors

Número de pieza	Descripción	Fabricantes
SLA6805M	High Voltage 3 phase Motor Driver IC.	Sanken
SDC1742	12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters.	Analog Devices

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