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PDF 2SK3156 Data sheet ( Hoja de datos )

Número de pieza 2SK3156
Descripción Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching
Fabricantes Hitachi Semiconductor　
Logotipo Hitachi Semiconductor Logotipo



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No Preview Available ! 2SK3156 Hoja de datos, Descripción, Manual

2SK3156
Silicon N Channel MOS FET
High Speed Power Switching
Features
• Low on-resistance
RDS = 50 mΩ typ.
• High speed switching
• 4 V gate drive device can be driven from 5 V source
Outline
TO–220AB
ADE-208-683A (Z)
2nd. Edition
February 1999
D
G
S
1
2
3
1. Gate
2. Drain(Flange)
3. Source

1 page




2SK3156 pdf
2SK3156
1000
500
Body–Drain Diode Reverse
Recovery Time
di / dt = 50 A / µs
VGS = 0, Ta = 25 °C
200
100
50
20
10
0.1 0.3 1 3 10 30 100
Reverse Drain Current I DR (A)
10000
3000
1000
Typical Capacitance vs.
Drain to Source Voltage
Ciss
300 Coss
100 Crss
30 VGS = 0
f = 1 MHz
10
0 10 20
30 40
50
Drain to Source Voltage V DS (V)
Dynamic Input Characteristics
200
I D = 20A
160 VDD = 100 V
50 V
25 V
120
VGS
VDS
80
20
16
12
8
40 VDD = 100 V
50 V
4
25 V
0
0 40 80 120 160 200
Gate Charge Qg (nc)
5000
2000
1000
500
Switching Characteristics
VGS = 10 V, V DD = 30 V
PW = 5 µs, duty < 1 %
t d(off)
200 t f
100
tr
50
20 t d(on)
10
0.1 0.2 0.5 1 2
5 10 20
Drain Current I D (A)
50
5

5 Page










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Hoja de datos destacado

Número de piezaDescripciónFabricantes
2SK315N-Channel Junction Silicon Field-Effect Transistor(FM Tuner Applications)Sanyo Semicon Device
Sanyo Semicon Device
2SK3150Silicon N Channel MOS FET High Speed Power SwitchingHitachi Semiconductor
Hitachi Semiconductor
2SK3150Silicon N Channel MOS FETRenesas
Renesas
2SK3150LSilicon N Channel MOS FET High Speed Power SwitchingHitachi Semiconductor
Hitachi Semiconductor

Número de piezaDescripciónFabricantes
SLA6805M

High Voltage 3 phase Motor Driver IC.

 Sanken
Sanken
SDC1742

12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters.

 Analog Devices
Analog Devices


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