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PDF 2SJ551 Data sheet ( Hoja de datos )

Número de pieza 2SJ551
Descripción Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching
Fabricantes Hitachi Semiconductor 
Logotipo Hitachi Semiconductor Logotipo



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2SJ551(L),2SJ551(S)
Silicon P Channel MOS FET
High Speed Power Switching
Features
Low on-resistance
RDS(on) = 0.050typ.
Low drive current.
4V gate drive devices.
High speed switching.
Outline
LDPAK
D
G
S
ADE-208-647B (Z)
3rd. Edition
Jun 1998
44
1
2
3
1
2
3
1. Gate
2. Drain
3. Source
4. Drain

1 page




2SJ551 pdf
2SJ551(L),2SJ551(S)
Body–Drain Diode Reverse
Recovery Time
100
50
20
10
–0.1 –0.2
–0.5
di / dt = 50 A / µs
VGS = 0, Ta = 25 °C
–1 –2 –5 –10 –20
Reverse Drain Current I DR (A)
10000
3000
1000
300
Typical Capacitance vs.
Drain to Source Voltage
VGS = 0
f = 1 MHz
Ciss
Coss
100
Crss
30
10
0 –10 –20 –30 –40 –50
Drain to Source Voltage V DS (V)
Dynamic Input Characteristics
00
VDD = –10 V
–25 V
–20
–50 V
–4
–40 VGS
VDS
–60
VDD = –50 V
–25 V
–80 –10 V
–100 I D = –18 A
0 16 32 48 64
Gate Charge Qg (nc)
–8
–12
–16
–20
80
1000
500
Switching Characteristics
VGS = –10 V, V DD = –30 V
PW = 5 µs, duty < 1 %
t d(off)
200
tf
100
50 t r
20 t d(on)
10
–0.1 –0.2 –0.5 –1 –2 –5 –10 –20
Drain Current I D (A)
5

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Hoja de datos destacado

Número de piezaDescripciónFabricantes
2SJ550Silicon P Channel MOS FET High Speed Power SwitchingHitachi Semiconductor
Hitachi Semiconductor
2SJ550P-Channel MOSFET ( Transistor )Renesas
Renesas
2SJ550LSilicon P Channel MOS FET High Speed Power SwitchingHitachi Semiconductor
Hitachi Semiconductor
2SJ550LP-Channel MOSFET ( Transistor )Renesas
Renesas

Número de piezaDescripciónFabricantes
SLA6805M

High Voltage 3 phase Motor Driver IC.

Sanken
Sanken
SDC1742

12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters.

Analog Devices
Analog Devices


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