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PDF Si2306 Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | Si2306 | |
| Descripción | N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor | |
| Fabricantes | SiPU | |
| Logotipo |  |
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Si2306
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
FEATURES
Super high dense cell design for low RDS(ON)
Rugged and reliable
Simple drive requirement
SOT-23 package
PRODUCT SUMMARY
VDSS
ID RDS(ON) (m ) Typ
20V 3.6A
33 @ VGS=4.5V
52 @ VGS=2.5V
NOTE The Si2306 is available in
a lead-free package
D
S
G
ABSOLUTE MAXIUM RATINGS TA=25
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Drain Current-Continuousª@Tj=125
- Pulse d b
Drain-source Diode Forward Currentª
Maximum Power Dissipationª
Operating Junction and Storage
Temperature Range
unless otherwise noted
Symbol
VDS
VGS
ID
Limit
20
±8
3.6
IDM 12
IS 1.25
PD 1.25
TJ,TSTG
-55 to 150
Unit
V
V
A
A
A
W
THERMAL CHARACTERISTICS
Thermal Resistance, Junction-to Ambientª
Rth JA
100
/W
1
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SI2300DS | N-Channel 30-V (D-S) MOSFET |  Vishay Siliconix |
| SI2301 | P-Channel Enhancement Mode MOSFET |  JinYu |
| SI2301 | P-Channel 20-V(D-S) MOSFET |  YANGJING |
| SI2301 | P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |  MCC |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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