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SKIIP23AC12T4V1 Buy Now and Stock Informations |
SKIIP23AC12T4V1 Electronic Components |
| N.º | Número de pieza | Descripción | Fabricantes | Catagory |
| 1 | SKiiP23AC12T4V1 | IGBT Modules Semikron International igbt | |
PDF SKIIP23AC12T4V1 Data sheet ( Hoja de datos )
Electronic components |
| N.º | Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
| 1 | SKIIP262GD060351W | (SKIIPxxxx) IGBT POWER MODULE Semikron  | ||
| 2 | SKIIP362GD060352W | (SKIIPxxxx) IGBT POWER MODULE Semikron | ||
| 3 | SKIIP102GD120304W | (SKIIPxxxx) IGBT POWER MODULE Semikron | ||
| 4 | SKIIP202GDD120300W | (SKIIPxxxx) IGBT POWER MODULE Semikron |
Featured electronic components |
| N.º | Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
| 1 | SKiiP23AC12T4V1 | IGBT Modules SKiiP 23AC12T4V1
Absolute Maximum Ratings Symbol
VCES IC ICnom ICRM ICRM = 3 x ICnom VCC = 800 V VGE ≤ 15 V VCES ≤ 1200 V
Conditions
Tj = 25 °C Tj = 175 °C Ts = 25 °C Ts = 70 °C
Values
1200 Semikron International |
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nuevas actualizaciones
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes | |
| 2SC1815 | NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor for switching and AF amplifier applications. The transistor is subdivided into four groups, O, Y, G and L, according to its DC current gain. As complementary type the PNP transistor ST 2SA1015 is recommended. On special request |
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